Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > APT106N60B2C6
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
1016080APT106N60B2C6 image.Microsemi

APT106N60B2C6

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
1+
$20.26
30+
$17.035
120+
$15.654
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    APT106N60B2C6
  • Proizvajalec / znamka
    Microsemi
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 600V 106A TO-247
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    APT106N60B2C6.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 3.4mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    T-MAX™ [B2]
  • Serija
    CoolMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    35 mOhm @ 53A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    833W (Tc)
  • Pakiranje
    Tube
  • Paket / primer
    TO-247-3 Variant
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Through Hole
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    18 Weeks
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    8390pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    308nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    600V
  • natančen opis
    N-Channel 600V 106A (Tc) 833W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    106A (Tc)

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "APT106N60B2C6".
APT100MC120JCU2

APT100MC120JCU2

Opis: MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT100GT60JR

APT100GT60JR

Opis: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT100S20LCTG

APT100S20LCTG

Opis: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3

Opis: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT100S20BG

APT100S20BG

Opis: DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT100GT60JRDQ4

APT100GT60JRDQ4

Opis: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT102GA60L

APT102GA60L

Opis: IGBT 600V 183A 780W TO264

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

Opis: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT10M11JVR

APT10M11JVR

Opis: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT10SCD120B

APT10SCD120B

Opis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT100GT60B2RG

APT100GT60B2RG

Opis: IGBT 600V 148A 500W SOT247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT10M07JVR

APT10M07JVR

Opis: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT100M50J

APT100M50J

Opis: MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

Opis: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT102GA60B2

APT102GA60B2

Opis: IGBT 600V 183A 780W TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT10DC120HJ

APT10DC120HJ

Opis: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT100GT120JU3

APT100GT120JU3

Opis: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT10SCD120K

APT10SCD120K

Opis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT10SCD120BCT

APT10SCD120BCT

Opis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT10M11B2VFRG

APT10M11B2VFRG

Opis: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.