Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Diode - Rectifiers - Posamezni > APT10SCD120B
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
30402APT10SCD120B image.Microsemi

APT10SCD120B

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    APT10SCD120B
  • Proizvajalec / znamka
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Napetost - naprej (Vf) (Max) @ Če
    1.8V @ 10A
  • Napetost - DC vzvratno (Vr) (maks.)
    1200V
  • Paket naprave za dobavitelja
    TO-247
  • Hitrost
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Serija
    -
  • Povratni čas obnovitve (trr)
    0ns
  • Pakiranje
    Tube
  • Paket / primer
    TO-247-2
  • Delovna temperatura - spoj
    -55°C ~ 150°C
  • Tip montaže
    Through Hole
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tip diode
    Silicon Carbide Schottky
  • natančen opis
    Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 36A (DC) Through Hole TO-247
  • Trenutna - povratna puščanja @ Vr
    200µA @ 1200V
  • Tok - Povprečni popravek (Io)
    36A (DC)
  • Capacitance @ Vr, F
    600pF @ 0V, 1MHz
APT10SCD65KCT

APT10SCD65KCT

Opis: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3

Opis: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT11N80BC3G

APT11N80BC3G

Opis: MOSFET N-CH 800V 11A TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT10DC120HJ

APT10DC120HJ

Opis: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT11F80S

APT11F80S

Opis: MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT10M11B2VFRG

APT10M11B2VFRG

Opis: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT10M11JVR

APT10M11JVR

Opis: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT11GF120KRG

APT11GF120KRG

Opis: IGBT 1200V 25A 156W TO220

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

Opis: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT102GA60B2

APT102GA60B2

Opis: IGBT 600V 183A 780W TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT10SCD120K

APT10SCD120K

Opis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT106N60B2C6

APT106N60B2C6

Opis: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT10SCD120BCT

APT10SCD120BCT

Opis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT102GA60L

APT102GA60L

Opis: IGBT 600V 183A 780W TO264

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT11GF120BRDQ1G

APT11GF120BRDQ1G

Opis: IGBT 1200V 25A 156W TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT11F80B

APT11F80B

Opis: MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

Opis: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT10SCD65K

APT10SCD65K

Opis: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT10M07JVR

APT10M07JVR

Opis: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT11GP60BDQBG

APT11GP60BDQBG

Opis: IGBT 600V 41A 187W TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod