Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - IGBT - Posamezni > APT102GA60L
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
71843APT102GA60L image.Microsemi

APT102GA60L

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
50+
$13.671
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    APT102GA60L
  • Proizvajalec / znamka
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    IGBT 600V 183A 780W TO264
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
  • Napetost - razčlenitev kolektorjev kolektorja (maks.)
    600V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.5V @ 15V, 62A
  • Test Condition
    400V, 62A, 4.7 Ohm, 15V
  • Td (vklop / izklop) @ 25 ° C
    28ns/212ns
  • Preklop energije
    1.354mJ (on), 1.614mJ (off)
  • Paket naprave za dobavitelja
    TO-264 [L]
  • Serija
    -
  • Moč - maks
    780W
  • Pakiranje
    Tube
  • Paket / primer
    TO-264-3, TO-264AA
  • Druga imena
    APT102GA60LMI
    APT102GA60LMI-ND
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Through Hole
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    26 Weeks
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vrsta vnosa
    Standard
  • Vrsta IGBT
    PT
  • Gate Charge
    294nC
  • natančen opis
    IGBT PT 600V 183A 780W Through Hole TO-264 [L]
  • Trenutni - impulzni kolektor (Icm)
    307A
  • Tok - zbiralec (Ic) (maks.)
    183A
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

Opis: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT100GT120JU3

APT100GT120JU3

Opis: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT10DC120HJ

APT10DC120HJ

Opis: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

Opis: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT10SCD120B

APT10SCD120B

Opis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT100S20LCTG

APT100S20LCTG

Opis: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT10SCD120BCT

APT10SCD120BCT

Opis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT10M11B2VFRG

APT10M11B2VFRG

Opis: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT100GT120JU2

APT100GT120JU2

Opis: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT106N60B2C6

APT106N60B2C6

Opis: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT100GT60JRDQ4

APT100GT60JRDQ4

Opis: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT102GA60B2

APT102GA60B2

Opis: IGBT 600V 183A 780W TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT100S20BG

APT100S20BG

Opis: DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3

Opis: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT100GT60B2RG

APT100GT60B2RG

Opis: IGBT 600V 148A 500W SOT247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT100MC120JCU2

APT100MC120JCU2

Opis: MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT10M11JVR

APT10M11JVR

Opis: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT100GT60JR

APT100GT60JR

Opis: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT100M50J

APT100M50J

Opis: MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT10M07JVR

APT10M07JVR

Opis: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod