Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > APT10M11JVRU2
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
1961770APT10M11JVRU2 image.Microsemi

APT10M11JVRU2

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
100+
$27.075
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    APT10M11JVRU2
  • Proizvajalec / znamka
    Microsemi
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 100V 142A SOT227
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    1.APT10M11JVRU2.pdf
    2.APT10M11JVRU2.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 2.5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    SOT-227
  • Serija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11 mOhm @ 71A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    450W (Tc)
  • Pakiranje
    Bulk
  • Paket / primer
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Druga imena
    APT10M11JVRU2MI
    APT10M11JVRU2MI-ND
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Chassis Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    32 Weeks
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    8600pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    300nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    100V
  • natančen opis
    N-Channel 100V 142A (Tc) 450W (Tc) Chassis Mount SOT-227
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    142A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip napoveduje 500 odpuščanj, stroški prestrukturi...

2024/12/4

Kvanta: Povpraševanje AI je še naprej močno, z enakomern...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znatno zmanjšuje uporabo fotoresista v proizvodnji...

2024/12/2

Vishay bo vložil 51 milijonov funtov v pridobljeno NWF Waf...

2024/11/29

Trumpova tarifna grožnja, Nvidia, Intelovi dobavitelji pon...

2024/11/28

Intel bo prejel 7,86 milijarde ameriških dolarjev subvenci...

2024/11/27

AMD zažene gradnjo druge faze oblikovalskega centra Bangalore

2024/11/26
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "APT10M11JVRU2".
APT11F80B

APT11F80B

Opis: MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT10SCD65KCT

APT10SCD65KCT

Opis: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT100S20LCTG

APT100S20LCTG

Opis: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT102GA60L

APT102GA60L

Opis: IGBT 600V 183A 780W TO264

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT10M11B2VFRG

APT10M11B2VFRG

Opis: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT102GA60B2

APT102GA60B2

Opis: IGBT 600V 183A 780W TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT11F80S

APT11F80S

Opis: MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT10DC120HJ

APT10DC120HJ

Opis: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT11GF120BRDQ1G

APT11GF120BRDQ1G

Opis: IGBT 1200V 25A 156W TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

Opis: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT106N60B2C6

APT106N60B2C6

Opis: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT11GF120KRG

APT11GF120KRG

Opis: IGBT 1200V 25A 156W TO220

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT100S20BG

APT100S20BG

Opis: DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT10SCD120B

APT10SCD120B

Opis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3

Opis: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT10M11JVR

APT10M11JVR

Opis: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT10SCD65K

APT10SCD65K

Opis: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT10SCD120K

APT10SCD120K

Opis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT10M07JVR

APT10M07JVR

Opis: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT10SCD120BCT

APT10SCD120BCT

Opis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.