Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - IGBT - Posamezni > APT11GF120BRDQ1G
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
2882774APT11GF120BRDQ1G image.Microsemi

APT11GF120BRDQ1G

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    APT11GF120BRDQ1G
  • Proizvajalec / znamka
    Microsemi
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    IGBT 1200V 25A 156W TO247
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    APT11GF120BRDQ1G.pdf
  • Napetost - razčlenitev kolektorjev kolektorja (maks.)
    1200V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    3V @ 15V, 8A
  • Test Condition
    800V, 8A, 10 Ohm, 15V
  • Td (vklop / izklop) @ 25 ° C
    7ns/100ns
  • Preklop energije
    300µJ (on), 285µJ (off)
  • Paket naprave za dobavitelja
    TO-247 [B]
  • Serija
    -
  • Moč - maks
    156W
  • Pakiranje
    Tube
  • Paket / primer
    TO-247-3
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Through Hole
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vrsta vnosa
    Standard
  • Vrsta IGBT
    NPT
  • Gate Charge
    65nC
  • natančen opis
    IGBT NPT 1200V 25A 156W Through Hole TO-247 [B]
  • Trenutni - impulzni kolektor (Icm)
    24A
  • Tok - zbiralec (Ic) (maks.)
    25A

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "APT11GF120BRDQ1G".
APT11N80BC3G

APT11N80BC3G

Opis: MOSFET N-CH 800V 11A TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT10SCD120B

APT10SCD120B

Opis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT12031JFLL

APT12031JFLL

Opis: MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT10SCD65K

APT10SCD65K

Opis: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT10SCD120BCT

APT10SCD120BCT

Opis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT11N80KC3G

APT11N80KC3G

Opis: MOSFET N-CH 800V 11A TO-220

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT11F80B

APT11F80B

Opis: MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT10SCD120K

APT10SCD120K

Opis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT11GF120KRG

APT11GF120KRG

Opis: IGBT 1200V 25A 156W TO220

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT11F80S

APT11F80S

Opis: MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT10SCD65KCT

APT10SCD65KCT

Opis: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT10M11JVR

APT10M11JVR

Opis: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT12057B2FLLG

APT12057B2FLLG

Opis: MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
RFQ
APT1204R7KFLLG

APT1204R7KFLLG

Opis: MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-220

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

Opis: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT11GP60BDQBG

APT11GP60BDQBG

Opis: IGBT 600V 41A 187W TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3

Opis: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT1201R4BFLLG

APT1201R4BFLLG

Opis: MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT12057B2LLG

APT12057B2LLG

Opis: MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT1204R7BFLLG

APT1204R7BFLLG

Opis: MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.