Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - IGBT - moduli > APT100GT60JRDQ4
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
1736409APT100GT60JRDQ4 image.Microsemi

APT100GT60JRDQ4

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
20+
$37.322
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    APT100GT60JRDQ4
  • Proizvajalec / znamka
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    IGBT 600V 148A 500W SOT227
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
  • Napetost - razčlenitev kolektorjev kolektorja (maks.)
    600V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.5V @ 15V, 100A
  • Paket naprave za dobavitelja
    ISOTOP®
  • Serija
    Thunderbolt IGBT®
  • Moč - maks
    500W
  • Paket / primer
    ISOTOP
  • Druga imena
    APT100GT60JRDQ4MI
    APT100GT60JRDQ4MI-ND
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • NTC termistor
    No
  • Tip montaže
    Chassis Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    32 Weeks
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Cies) @ Vce
    5.15nF @ 25V
  • Vnos
    Standard
  • Vrsta IGBT
    NPT
  • natančen opis
    IGBT Module NPT Single 600V 148A 500W Chassis Mount ISOTOP®
  • Tok - odklop zbiralnika (maks.)
    50µA
  • Tok - zbiralec (Ic) (maks.)
    148A
  • Konfiguracija
    Single
APT100GT120JR

APT100GT120JR

Opis: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT100MC120JCU2

APT100MC120JCU2

Opis: MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT10DC120HJ

APT10DC120HJ

Opis: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT100M50J

APT100M50J

Opis: MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT100S20LCTG

APT100S20LCTG

Opis: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

Opis: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT100GN120J

APT100GN120J

Opis: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT106N60B2C6

APT106N60B2C6

Opis: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT100S20BG

APT100S20BG

Opis: DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT100GT120JU3

APT100GT120JU3

Opis: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT100GN120JDQ4

APT100GN120JDQ4

Opis: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT100GN60LDQ4G

APT100GN60LDQ4G

Opis: IGBT 600V 229A 625W TO264

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT100GN60B2G

APT100GN60B2G

Opis: IGBT 600V 229A 625W TMAX

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT102GA60B2

APT102GA60B2

Opis: IGBT 600V 183A 780W TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT10M07JVR

APT10M07JVR

Opis: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT100GT120JRDQ4

APT100GT120JRDQ4

Opis: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT100GT120JU2

APT100GT120JU2

Opis: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT100GT60JR

APT100GT60JR

Opis: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT102GA60L

APT102GA60L

Opis: IGBT 600V 183A 780W TO264

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT100GT60B2RG

APT100GT60B2RG

Opis: IGBT 600V 148A 500W SOT247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod