Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > SI4196DY-T1-E3
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
2569390

SI4196DY-T1-E3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    SI4196DY-T1-E3
  • Proizvajalec / znamka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    SI4196DY-T1-E3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    8-SO
  • Serija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    27 mOhm @ 8A, 4.5V
  • Odmik moči (maks.)
    2W (Ta), 4.6W (Tc)
  • Pakiranje
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / primer
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    830pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    22nC @ 8V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    1.8V, 4.5V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    20V
  • natančen opis
    N-Channel 20V 8A (Tc) 2W (Ta), 4.6W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    8A (Tc)

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "SI4196DY-T1-E3".
SI4201-BM

SI4201-BM

Opis: IC RF TXRX CELLULAR 20-VFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4170DY-T1-GE3

SI4170DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4176DY-T1-GE3

SI4176DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4200-BM

SI4200-BM

Opis: IC RF TXRX CELLULAR 32-VFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4204DY-T1-GE3

SI4204DY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 19.8A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4190ADY-T1-GE3

SI4190ADY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4200DY-T1-GE3

SI4200DY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4178DY-T1-E3

SI4178DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4174DY-T1-GE3

SI4174DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4178DY-T1-GE3

SI4178DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4186DY-T1-GE3

SI4186DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4202DY-T1-GE3

SI4202DY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SO

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4172DY-T1-GE3

SI4172DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4205-BM

SI4205-BM

Opis: IC RF TXRX CELLULAR 32-LFLGA

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4200-GM

SI4200-GM

Opis: IC RF TXRX CELLULAR 32-VFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4196DY-T1-GE3

SI4196DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4200-EVB

SI4200-EVB

Opis: BOARD EVAL FOR SI4200

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4190DY-T1-GE3

SI4190DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4176DY-T1-E3

SI4176DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4201-GM

SI4201-GM

Opis: IC RF TXRX CELLULAR 20-VFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.