SI4174DY-T1-GE3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi

2500+

$0.378

Povpraševanje na spletu

Specifikacije

Številka dela

SI4174DY-T1-GE3
Proizvajalec / znamka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Količina zalog

Na zalogi
Opis

MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
Status svobodnega statusa / RoHS

Brez svinca / RoHS
Podatkovni listi

SI4174DY-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)
Paket naprave za dobavitelja

8-SO
Serija

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.5 mOhm @ 10A, 10V
Odmik moči (maks.)

2.5W (Ta), 5W (Tc)
Pakiranje

Tape & Reel (TR)
Paket / primer

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Druga imena

SI4174DY-T1-GE3-ND
SI4174DY-T1-GE3TR
SI4174DYT1GE3
delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže

Surface Mount
Raven občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)
Proizvajalec Standardni čas vodenja

33 Weeks
Status svobodnega statusa / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds

985pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V
Vrsta FET

N-Channel
Funkcija FET

-
Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)

4.5V, 10V
Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)

30V
natančen opis

N-Channel 30V 17A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SO
Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C

17A (Tc)

Sledi izdelki, povezani z "SI4174DY-T1-GE3".

SI4154DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 36A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4156DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 24A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4158DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 36.5A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4176DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4170DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4190ADY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4162DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4190DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4164DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4196DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4166DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4176DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4200-BM

Opis: IC RF TXRX CELLULAR 32-VFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na zalogi

RFQ

SI4168DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 24A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4196DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4160DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 25.4A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4178DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4178DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4172DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4186DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Vnaprejšnja registracija

SI4174DY-T1-GE3

Zahtevaj ponudbo

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Antropic prejme še 4 milijarde dolarjev naložbe od Amazon...

SEMI: Prodaja IC se je v tretjem četrtletju povečala za 1...

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

SI4154DY-T1-GE3

SI4156DY-T1-GE3

SI4158DY-T1-GE3

SI4176DY-T1-E3

SI4170DY-T1-GE3

SI4190ADY-T1-GE3

SI4162DY-T1-GE3

SI4190DY-T1-GE3

SI4164DY-T1-GE3

SI4196DY-T1-GE3

SI4166DY-T1-GE3

SI4176DY-T1-GE3

SI4200-BM

SI4168DY-T1-GE3

SI4196DY-T1-E3

SI4160DY-T1-GE3

SI4178DY-T1-GE3

SI4178DY-T1-E3

SI4172DY-T1-GE3

SI4186DY-T1-GE3

Izberi jezik

Trenutni jezik