Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > SI4190ADY-T1-GE3
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
6051314

SI4190ADY-T1-GE3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
1+
$2.20
10+
$1.988
100+
$1.598
500+
$1.242
1000+
$1.029
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    SI4190ADY-T1-GE3
  • Proizvajalec / znamka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    SI4190ADY-T1-GE3.pdf
  • ECAD model
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.8V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    8-SO
  • Serija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8.8 mOhm @ 15A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    3W (Ta), 6W (Tc)
  • Pakiranje
    Original-Reel®
  • Paket / primer
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Druga imena
    SI4190ADY-T1-GE3DKR
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    1970pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    67nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    4.5V, 10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    100V
  • natančen opis
    N-Channel 100V 18.4A (Tc) 3W (Ta), 6W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    18.4A (Tc)

Analog & Power Management ICs: The Key to Future Intell...

2025/02/11

USC Develops Chip-Based Pulse-Mode EPR Sensor for Electroni...

2025/02/10

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip napoveduje 500 odpuščanj, stroški prestrukturi...

2024/12/4

Kvanta: Povpraševanje AI je še naprej močno, z enakomern...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znatno zmanjšuje uporabo fotoresista v proizvodnji...

2024/12/2

Vishay bo vložil 51 milijonov funtov v pridobljeno NWF Waf...

2024/11/29
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "SI4190ADY-T1-GE3".
SI4196DY-T1-GE3

SI4196DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4200-GM

SI4200-GM

Opis: IC RF TXRX CELLULAR 32-VFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4200DY-T1-GE3

SI4200DY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4178DY-T1-E3

SI4178DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4166DY-T1-GE3

SI4166DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4176DY-T1-E3

SI4176DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4170DY-T1-GE3

SI4170DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4174DY-T1-GE3

SI4174DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4190DY-T1-GE3

SI4190DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4201-BM

SI4201-BM

Opis: IC RF TXRX CELLULAR 20-VFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4200-EVB

SI4200-EVB

Opis: BOARD EVAL FOR SI4200

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4168DY-T1-GE3

SI4168DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 24A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4178DY-T1-GE3

SI4178DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4202DY-T1-GE3

SI4202DY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SO

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4196DY-T1-E3

SI4196DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4186DY-T1-GE3

SI4186DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4200-BM

SI4200-BM

Opis: IC RF TXRX CELLULAR 32-VFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4176DY-T1-GE3

SI4176DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4172DY-T1-GE3

SI4172DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4201-GM

SI4201-GM

Opis: IC RF TXRX CELLULAR 20-VFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasNoviceZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.