SI4178DY-T1-E3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi

2500+

$0.297

Povpraševanje na spletu

Specifikacije

Številka dela

SI4178DY-T1-E3
Proizvajalec / znamka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Količina zalog

Na zalogi
Opis

MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
Status svobodnega statusa / RoHS

Brez svinca / RoHS
Podatkovni listi

SI4178DY-T1-E3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.8V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)
Paket naprave za dobavitelja

8-SO
Serija

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

21 mOhm @ 8.4A, 10V
Odmik moči (maks.)

2.4W (Ta), 5W (Tc)
Pakiranje

Tape & Reel (TR)
Paket / primer

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže

Surface Mount
Raven občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)
Status svobodnega statusa / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds

405pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V
Vrsta FET

N-Channel
Funkcija FET

-
Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)

4.5V, 10V
Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)

30V
natančen opis

N-Channel 30V 12A (Tc) 2.4W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SO
Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C

12A (Tc)

Sledi izdelki, povezani z "SI4178DY-T1-E3".

SI4190ADY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4162DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4186DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4200DY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4160DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 25.4A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4200-BM

Opis: IC RF TXRX CELLULAR 32-VFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na zalogi

RFQ

SI4170DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4176DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4196DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4168DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 24A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4200-GM

Opis: IC RF TXRX CELLULAR 32-VFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na zalogi

RFQ

SI4176DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4196DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4172DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4174DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4190DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4164DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4166DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4200-EVB

Opis: BOARD EVAL FOR SI4200

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na zalogi

RFQ

SI4178DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Vnaprejšnja registracija

SI4178DY-T1-E3

Zahtevaj ponudbo

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Antropic prejme še 4 milijarde dolarjev naložbe od Amazon...

SEMI: Prodaja IC se je v tretjem četrtletju povečala za 1...

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

SI4190ADY-T1-GE3

SI4162DY-T1-GE3

SI4186DY-T1-GE3

SI4200DY-T1-GE3

SI4160DY-T1-GE3

SI4200-BM

SI4170DY-T1-GE3

SI4176DY-T1-E3

SI4196DY-T1-E3

SI4168DY-T1-GE3

SI4200-GM

SI4176DY-T1-GE3

SI4196DY-T1-GE3

SI4172DY-T1-GE3

SI4174DY-T1-GE3

SI4190DY-T1-GE3

SI4164DY-T1-GE3

SI4166DY-T1-GE3

SI4200-EVB

SI4178DY-T1-GE3

Izberi jezik

Trenutni jezik