SI1072X-T1-GE3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Povpraševanje na spletu

Specifikacije

Številka dela

SI1072X-T1-GE3
Proizvajalec / znamka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Količina zalog

Na zalogi
Opis

MOSFET N-CH 30V SC89
Status svobodnega statusa / RoHS

Brez svinca / RoHS
Podatkovni listi

SI1072X-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)
Paket naprave za dobavitelja

SC-89-6
Serija

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

93 mOhm @ 1.3A, 10V
Odmik moči (maks.)

236mW (Ta)
Pakiranje

Tape & Reel (TR)
Paket / primer

SOT-563, SOT-666
delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže

Surface Mount
Raven občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)
Status svobodnega statusa / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds

280pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.3nC @ 10V
Vrsta FET

N-Channel
Funkcija FET

-
Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)

4.5V, 10V
Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)

30V
natančen opis

N-Channel 30V 236mW (Ta) Surface Mount SC-89-6
Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C

-

Sledi izdelki, povezani z "SI1072X-T1-GE3".

SI1073X-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI1080-A-GM

Opis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na zalogi

RFQ

SI1070X-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI1081-A-GM

Opis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na zalogi

RFQ

SI1080-A-GMR

Opis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na zalogi

RFQ

SI1070X-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI1078X-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 1.02A SOT563F

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI1069X-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI1067X-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 1.06A SOT563F

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI1067X-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 1.06A SC89-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI1079X-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 1.44A SC89-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI1081-A-GMR

Opis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na zalogi

RFQ

SI1071X-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 30V 0.96A SOT563F

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI1082-A-GM

Opis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na zalogi

RFQ

SI1069X-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI1072X-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 1.3A SOT563F

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI1065X-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI1073X-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI1077X-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V SC89-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI1071X-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 0.96A SC89-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Vnaprejšnja registracija

SI1072X-T1-GE3

Zahtevaj ponudbo

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

SI1073X-T1-GE3

SI1080-A-GM

SI1070X-T1-E3

SI1081-A-GM

SI1080-A-GMR

SI1070X-T1-GE3

SI1078X-T1-GE3

SI1069X-T1-E3

SI1067X-T1-E3

SI1067X-T1-GE3

SI1079X-T1-GE3

SI1081-A-GMR

SI1071X-T1-E3

SI1082-A-GM

SI1069X-T1-GE3

SI1072X-T1-E3

SI1065X-T1-GE3

SI1073X-T1-E3

SI1077X-T1-GE3

SI1071X-T1-GE3

Izberi jezik

Trenutni jezik