Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > SI1073X-T1-GE3
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
6033125SI1073X-T1-GE3 image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI1073X-T1-GE3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    SI1073X-T1-GE3
  • Proizvajalec / znamka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    SI1073X-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    SC-89-6
  • Serija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    173 mOhm @ 980mA, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    236mW (Ta)
  • Pakiranje
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / primer
    SOT-563, SOT-666
  • Druga imena
    SI1073X-T1-GE3TR
    SI1073XT1GE3
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    265pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    9.45nC @ 10V
  • Vrsta FET
    P-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    4.5V, 10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    30V
  • natančen opis
    P-Channel 30V 236mW (Ta) Surface Mount SC-89-6
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    -

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "SI1073X-T1-GE3".
SI1070X-T1-E3

SI1070X-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI1080-A-GMR

SI1080-A-GMR

Opis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI1077X-T1-GE3

SI1077X-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V SC89-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI1071X-T1-GE3

SI1071X-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 0.96A SC89-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI1078X-T1-GE3

SI1078X-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 1.02A SOT563F

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI1083-A-GM

SI1083-A-GM

Opis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI1069X-T1-GE3

SI1069X-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI1073X-T1-E3

SI1073X-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI1082-A-GM

SI1082-A-GM

Opis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI1072X-T1-E3

SI1072X-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 1.3A SOT563F

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI1081-A-GMR

SI1081-A-GMR

Opis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI1070X-T1-GE3

SI1070X-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI1067X-T1-GE3

SI1067X-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 1.06A SC89-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI1069X-T1-E3

SI1069X-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI1072X-T1-GE3

SI1072X-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V SC89

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI1082-A-GMR

SI1082-A-GMR

Opis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI1079X-T1-GE3

SI1079X-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 1.44A SC89-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI1071X-T1-E3

SI1071X-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 30V 0.96A SOT563F

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI1081-A-GM

SI1081-A-GM

Opis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI1080-A-GM

SI1080-A-GM

Opis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.