Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > SI1072X-T1-E3
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
4813389SI1072X-T1-E3 image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI1072X-T1-E3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    SI1072X-T1-E3
  • Proizvajalec / znamka
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 30V 1.3A SOT563F
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
  • ECAD model
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    SC-89-6
  • Serija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    93 mOhm @ 1.3A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    236mW (Ta)
  • Pakiranje
    Cut Tape (CT)
  • Paket / primer
    SOT-563, SOT-666
  • Druga imena
    SI1072X-T1-E3CT
    SI1072XT1E3
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    280pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    8.3nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    4.5V, 10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    30V
  • natančen opis
    N-Channel 30V 236mW (Ta) Surface Mount SC-89-6
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    -
SI1072X-T1-GE3

SI1072X-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V SC89

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
SI1065X-T1-E3

SI1065X-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
SI1071X-T1-GE3

SI1071X-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 0.96A SC89-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
SI1081-A-GMR

SI1081-A-GMR

Opis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
SI1070X-T1-GE3

SI1070X-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
SI1071X-T1-E3

SI1071X-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 30V 0.96A SOT563F

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
SI1069X-T1-GE3

SI1069X-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
SI1065X-T1-GE3

SI1065X-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
SI1067X-T1-E3

SI1067X-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 1.06A SOT563F

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
SI1070X-T1-E3

SI1070X-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
SI1081-A-GM

SI1081-A-GM

Opis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
SI1073X-T1-E3

SI1073X-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
SI1067X-T1-GE3

SI1067X-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 1.06A SC89-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
SI1080-A-GM

SI1080-A-GM

Opis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
SI1077X-T1-GE3

SI1077X-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V SC89-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
SI1078X-T1-GE3

SI1078X-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 1.02A SOT563F

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
SI1079X-T1-GE3

SI1079X-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 1.44A SC89-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
SI1073X-T1-GE3

SI1073X-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
SI1080-A-GMR

SI1080-A-GMR

Opis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
SI1069X-T1-E3

SI1069X-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod