Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > SI1067X-T1-E3
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
1717160SI1067X-T1-E3 image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI1067X-T1-E3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    SI1067X-T1-E3
  • Proizvajalec / znamka
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET P-CH 20V 1.06A SOT563F
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
  • ECAD model
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    950mV @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    SC-89-6
  • Serija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    150 mOhm @ 1.06A, 4.5V
  • Odmik moči (maks.)
    236mW (Ta)
  • Pakiranje
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / primer
    SOT-563, SOT-666
  • Druga imena
    SI1067X-T1-E3TR
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    375pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    9.3nC @ 5V
  • Vrsta FET
    P-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    1.8V, 4.5V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    20V
  • natančen opis
    P-Channel 20V 236mW (Ta) Surface Mount SC-89-6
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    -
SI1072X-T1-GE3

SI1072X-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V SC89

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
SI1069X-T1-GE3

SI1069X-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
SI1067X-T1-GE3

SI1067X-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 1.06A SC89-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
SI1073X-T1-E3

SI1073X-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
SI1070X-T1-E3

SI1070X-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
SI1063-A-GM

SI1063-A-GM

Opis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
SI1065X-T1-GE3

SI1065X-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
SI1072X-T1-E3

SI1072X-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 1.3A SOT563F

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
SI1065X-T1-E3

SI1065X-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
SI1063-A-GMR

SI1063-A-GMR

Opis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
SI1062X-T1-GE3

SI1062X-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V SC-89

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
SI1069X-T1-E3

SI1069X-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
SI1064-A-GM

SI1064-A-GM

Opis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
SI1071X-T1-GE3

SI1071X-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 0.96A SC89-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
SI1064-A-GMR

SI1064-A-GMR

Opis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
SI1065-A-GM

SI1065-A-GM

Opis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
SI1062-A-GMR

SI1062-A-GMR

Opis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
SI1065-A-GMR

SI1065-A-GMR

Opis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
SI1071X-T1-E3

SI1071X-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 30V 0.96A SOT563F

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod