1N5809US.TR

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi

250+

$15.377

Povpraševanje na spletu

Specifikacije

Številka dela

1N5809US.TR
Proizvajalec / znamka

Semtech
Količina zalog

Na zalogi
Opis

DIODE GEN PURP 100V 6A
Status svobodnega statusa / RoHS
Podatkovni listi

1N5809US.TR.pdf
Napetost - naprej (Vf) (Max) @ Če

875mV @ 4A
Napetost - DC vzvratno (Vr) (maks.)

100V
Paket naprave za dobavitelja

-
Hitrost

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serija

-
Povratni čas obnovitve (trr)

30ns
Pakiranje

Tape & Reel (TR)
Paket / primer

SQ-MELF
Delovna temperatura - spoj

-
Tip montaže

Surface Mount
Proizvajalec Standardni čas vodenja

46 Weeks
Tip diode

Standard
natančen opis

Diode Standard 100V 6A Surface Mount
Trenutna - povratna puščanja @ Vr

5µA @ 100V
Tok - Povprečni popravek (Io)

6A
Capacitance @ Vr, F

60pF @ 5V, 1MHz

Sledi izdelki, povezani z "1N5809US.TR".

1N5809US

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF

Proizvajalci: Microsemi

Na zalogi

RFQ

1N5812

Opis: DIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA

Proizvajalci: Microsemi

Na zalogi

RFQ

1N5807US

Opis: DIODE GEN PURP 50V 6A

Proizvajalci: Semtech

Na zalogi

RFQ

1N5812R

Opis: RECTIFIER DIODE

Proizvajalci: Microsemi

Na zalogi

RFQ

1N5809

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi

Na zalogi

RFQ

1N5809

Opis: DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL

Proizvajalci: Semtech

Na zalogi

RFQ

1N5811C.TR

Opis: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Proizvajalci: Semtech

Na zalogi

RFQ

1N5808

Opis: DIODE RECT ULT FAST REC B-PKG

Proizvajalci: Microsemi

Na zalogi

RFQ