3282045

1N5809

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi

250+

$9.765

Povpraševanje na spletu

Specifikacije

Številka dela

1N5809
Proizvajalec / znamka

Semtech
Količina zalog

Na zalogi
Opis

DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL
Status svobodnega statusa / RoHS
Podatkovni listi

1N5809.pdf
ECAD model
Napetost - naprej (Vf) (Max) @ Če

875mV @ 4A
Napetost - DC vzvratno (Vr) (maks.)

100V
Paket naprave za dobavitelja

Axial
Hitrost

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serija

-
Povratni čas obnovitve (trr)

30ns
Pakiranje

Bulk
Paket / primer

Axial
Druga imena

1N5809S
Delovna temperatura - spoj

-
Tip montaže

Through Hole
Proizvajalec Standardni čas vodenja

46 Weeks
Tip diode

Standard
natančen opis

Diode Standard 100V 6A Through Hole Axial
Trenutna - povratna puščanja @ Vr

5µA @ 100V
Tok - Povprečni popravek (Io)

6A
Capacitance @ Vr, F

60pF @ 5V, 1MHz

Sledi izdelki, povezani z "1N5809".

1N5806US

Opis: DIODE GEN PURP 150V 1.1A

Proizvajalci: Semtech

Na zalogi

RFQ

1N5805

Opis: DIODE GEN PURP 125V 1A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi

Na zalogi

RFQ

1N5806TR

Opis: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi

Na zalogi

RFQ

1N5812

Opis: DIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA

Proizvajalci: Microsemi

Na zalogi

RFQ

1N5811

Opis: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Proizvajalci: Semtech

Na zalogi

RFQ

1N5808

Opis: DIODE RECT ULT FAST REC B-PKG

Proizvajalci: Microsemi

Na zalogi

RFQ

1N5807US

Opis: DIODE GEN PURP 50V 3A B-MELF

Proizvajalci: Microsemi

Na zalogi

RFQ

1N5806C.TR

Opis: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Proizvajalci: Semtech

Na zalogi

RFQ

1N5811TR

Opis: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi

Na zalogi

RFQ

1N5807US

Opis: DIODE GEN PURP 50V 6A

Proizvajalci: Semtech

Na zalogi

RFQ

1N5811US

Opis: DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF

Proizvajalci: Microsemi

Na zalogi

RFQ

1N5811C.TR

Opis: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Proizvajalci: Semtech

Na zalogi

RFQ

1N5806US

Opis: DIODE GEN PURP 150V 1A D5A

Proizvajalci: Microsemi

Na zalogi

RFQ

1N5809US.TR

Opis: DIODE GEN PURP 100V 6A

Proizvajalci: Semtech

Na zalogi

RFQ

1N5809US

Opis: DIODE GEN PURP 100V 6A

Proizvajalci: Semtech

Na zalogi

RFQ

1N5809US

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF

Proizvajalci: Microsemi

Na zalogi

RFQ

1N5807

Opis: DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL

Proizvajalci: Semtech

Na zalogi

RFQ

1N5809

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi

Na zalogi

RFQ

1N5807

Opis: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi

Na zalogi

RFQ

1N5811US

Opis: DIODE GEN PURP 150V 6A

Proizvajalci: Semtech

Na zalogi

RFQ

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Vnaprejšnja registracija

1N5809

Zahtevaj ponudbo

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Microchip napoveduje 500 odpuščanj, stroški prestrukturi...

Kvanta: Povpraševanje AI je še naprej močno, z enakomern...

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Samsung znatno zmanjšuje uporabo fotoresista v proizvodnji...

Vishay bo vložil 51 milijonov funtov v pridobljeno NWF Waf...

Trumpova tarifna grožnja, Nvidia, Intelovi dobavitelji pon...

Intel bo prejel 7,86 milijarde ameriških dolarjev subvenci...

1N5806US

1N5805

1N5806TR

1N5812

1N5811

1N5808

1N5807US

1N5806C.TR

1N5811TR

1N5807US

1N5811US

1N5811C.TR

1N5806US

1N5809US.TR

1N5809US

1N5809US

1N5807

1N5809

1N5807

1N5811US

Izberi jezik

Trenutni jezik