7020691

1N5811

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi

250+

$9.358

Povpraševanje na spletu

Specifikacije

Številka dela

1N5811
Proizvajalec / znamka

Semtech
Količina zalog

Na zalogi
Opis

DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL
Status svobodnega statusa / RoHS
Podatkovni listi

1N5811.pdf
Napetost - naprej (Vf) (Max) @ Če

875mV @ 4A
Napetost - DC vzvratno (Vr) (maks.)

150V
Paket naprave za dobavitelja

Axial
Hitrost

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serija

-
Povratni čas obnovitve (trr)

30ns
Pakiranje

Bulk
Paket / primer

Axial
Druga imena

1N5811S
Delovna temperatura - spoj

-
Tip montaže

Through Hole
Proizvajalec Standardni čas vodenja

46 Weeks
Tip diode

Standard
natančen opis

Diode Standard 150V 6A Through Hole Axial
Trenutna - povratna puščanja @ Vr

5µA @ 150V
Tok - Povprečni popravek (Io)

6A
Capacitance @ Vr, F

60pF @ 5V, 1MHz

Sledi izdelki, povezani z "1N5811".

1N5807US

Opis: DIODE GEN PURP 50V 6A

Proizvajalci: Semtech

Na zalogi

RFQ

1N5813

Opis: RECTIFIER DIODE

Proizvajalci: Microsemi

Na zalogi

RFQ

1N5813R

Opis: RECTIFIER DIODE

Proizvajalci: Microsemi

Na zalogi

RFQ

1N5814

Opis: DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA

Proizvajalci: Microsemi

Na zalogi

RFQ

1N5809US.TR

Opis: DIODE GEN PURP 100V 6A

Proizvajalci: Semtech

Na zalogi

RFQ

1N5809

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi

Na zalogi

RFQ

1N5807US

Opis: DIODE GEN PURP 50V 3A B-MELF

Proizvajalci: Microsemi

Na zalogi

RFQ

1N5809US

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF

Proizvajalci: Microsemi

Na zalogi

RFQ

1N5811US

Opis: DIODE GEN PURP 150V 6A

Proizvajalci: Semtech

Na zalogi

RFQ

1N5807

Opis: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi

Na zalogi

RFQ

1N5811C.TR

Opis: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Proizvajalci: Semtech

Na zalogi

RFQ

1N5812

Opis: DIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA

Proizvajalci: Microsemi

Na zalogi

RFQ

1N5811US

Opis: DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF

Proizvajalci: Microsemi

Na zalogi

RFQ

1N5814R

Opis: RECTIFIER DIODE

Proizvajalci: Microsemi

Na zalogi

RFQ

1N5809US

Opis: DIODE GEN PURP 100V 6A

Proizvajalci: Semtech

Na zalogi

RFQ

1N5808

Opis: DIODE RECT ULT FAST REC B-PKG

Proizvajalci: Microsemi

Na zalogi

RFQ

1N5807

Opis: DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL

Proizvajalci: Semtech

Na zalogi

RFQ

1N5809

Opis: DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL

Proizvajalci: Semtech

Na zalogi

RFQ

1N5812R

Opis: RECTIFIER DIODE

Proizvajalci: Microsemi

Na zalogi

RFQ

1N5811TR

Opis: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi

Na zalogi

RFQ

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Vnaprejšnja registracija

1N5811

Zahtevaj ponudbo

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Antropic prejme še 4 milijarde dolarjev naložbe od Amazon...

SEMI: Prodaja IC se je v tretjem četrtletju povečala za 1...

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

1N5807US

1N5813

1N5813R

1N5814

1N5809US.TR

1N5809

1N5807US

1N5809US

1N5811US

1N5807

1N5811C.TR

1N5812

1N5811US

1N5814R

1N5809US

1N5808

1N5807

1N5809

1N5812R

1N5811TR

Izberi jezik

Trenutni jezik