Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Diode - Rectifiers - Posamezni > 1N5806TR
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
58346271N5806TR image.Microsemi

1N5806TR

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    1N5806TR
  • Proizvajalec / znamka
    Microsemi
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    1N5806TR.pdf
  • ECAD model
  • Napetost - naprej (Vf) (Max) @ Če
    875mV @ 1A
  • Napetost - DC vzvratno (Vr) (maks.)
    150V
  • Paket naprave za dobavitelja
    A-PAK
  • Hitrost
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serija
    -
  • Povratni čas obnovitve (trr)
    25ns
  • Pakiranje
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / primer
    A, Axial
  • Druga imena
    1N5806
    1N5806E3
    1N5806E3TR
    1N5806E3TR-ND
    1N5806TR-ND
    1N5806TRTR
  • Delovna temperatura - spoj
    -65°C ~ 175°C
  • Tip montaže
    Through Hole
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tip diode
    Standard
  • natančen opis
    Diode Standard 150V 2.5A Through Hole A-PAK
  • Trenutna - povratna puščanja @ Vr
    1µA @ 150V
  • Tok - Povprečni popravek (Io)
    2.5A
  • Capacitance @ Vr, F
    -
  • Številka osnovnega dela
    1N5806

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip napoveduje 500 odpuščanj, stroški prestrukturi...

2024/12/4

Kvanta: Povpraševanje AI je še naprej močno, z enakomern...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znatno zmanjšuje uporabo fotoresista v proizvodnji...

2024/12/2

Vishay bo vložil 51 milijonov funtov v pridobljeno NWF Waf...

2024/11/29

Trumpova tarifna grožnja, Nvidia, Intelovi dobavitelji pon...

2024/11/28

Intel bo prejel 7,86 milijarde ameriških dolarjev subvenci...

2024/11/27
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "1N5806TR".
1N5807US

1N5807US

Opis: DIODE GEN PURP 50V 6A

Proizvajalci: Semtech
Na zalogi
RFQ
1N5802

1N5802

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
1N5802US

1N5802US

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1A D5A

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
1N5802US

1N5802US

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1.1A

Proizvajalci: Semtech
Na zalogi
RFQ
1N5809US

1N5809US

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
1N5807

1N5807

Opis: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
1N5806C.TR

1N5806C.TR

Opis: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Proizvajalci: Semtech
Na zalogi
RFQ
1N5807

1N5807

Opis: DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL

Proizvajalci: Semtech
Na zalogi
RFQ
1N5808

1N5808

Opis: DIODE RECT ULT FAST REC B-PKG

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
1N5804US

1N5804US

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1.1A

Proizvajalci: Semtech
Na zalogi
RFQ
1N5804US

1N5804US

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A D5A

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
1N5805

1N5805

Opis: DIODE GEN PURP 125V 1A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
1N5809

1N5809

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
1N5809

1N5809

Opis: DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL

Proizvajalci: Semtech
Na zalogi
RFQ
1N5804

1N5804

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3.3A AXIAL

Proizvajalci: Semtech
Na zalogi
RFQ
1N5806US

1N5806US

Opis: DIODE GEN PURP 150V 1.1A

Proizvajalci: Semtech
Na zalogi
RFQ
1N5804

1N5804

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
1N5806US

1N5806US

Opis: DIODE GEN PURP 150V 1A D5A

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
1N5803

1N5803

Opis: DIODE GEN PURP 75V 1A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
1N5807US

1N5807US

Opis: DIODE GEN PURP 50V 3A B-MELF

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasNoviceZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.