1N5804US

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi

$11.71

10+

$10.647

100+

$9.05

500+

$7.719

Povpraševanje na spletu

Specifikacije

Številka dela

1N5804US
Proizvajalec / znamka

Microsemi
Količina zalog

Na zalogi
Opis

DIODE GEN PURP 100V 1A D5A
Status svobodnega statusa / RoHS

Vsebuje neusklajeno vodilo / RoHS
Podatkovni listi

1N5804US.pdf
Napetost - naprej (Vf) (Max) @ Če

875mV @ 1A
Napetost - DC vzvratno (Vr) (maks.)

100V
Paket naprave za dobavitelja

D-5A
Hitrost

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serija

-
Povratni čas obnovitve (trr)

25ns
Pakiranje

Bulk
Paket / primer

SQ-MELF, A
Delovna temperatura - spoj

-65°C ~ 175°C
Tip montaže

Surface Mount
Raven občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)
Proizvajalec Standardni čas vodenja

7 Weeks
Status svobodnega statusa / RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Tip diode

Standard
natančen opis

Diode Standard 100V 1A Surface Mount D-5A
Trenutna - povratna puščanja @ Vr

1µA @ 100V
Tok - Povprečni popravek (Io)

1A
Capacitance @ Vr, F

25pF @ 10V, 1MHz

Sledi izdelki, povezani z "1N5804US".

1N5802US

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1A D5A

Proizvajalci: Microsemi

Na zalogi

RFQ

1N5805

Opis: DIODE GEN PURP 125V 1A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi

Na zalogi

RFQ

1N5807

Opis: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi

Na zalogi

RFQ

1N5808

Opis: DIODE RECT ULT FAST REC B-PKG

Proizvajalci: Microsemi

Na zalogi

RFQ

1N5803

Opis: DIODE GEN PURP 75V 1A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi

Na zalogi

RFQ

1N5806TR

Opis: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi

Na zalogi

RFQ

1N5806US

Opis: DIODE GEN PURP 150V 1A D5A

Proizvajalci: Microsemi

Na zalogi

RFQ

1N5807US

Opis: DIODE GEN PURP 50V 3A B-MELF

Proizvajalci: Microsemi

Na zalogi

RFQ