Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Diode - Rectifiers - Posamezni > JAN1N5807
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
5085916

JAN1N5807

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    JAN1N5807
  • Proizvajalec / znamka
    Microsemi
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Vsebuje neusklajeno vodilo / RoHS
  • Podatkovni listi
    JAN1N5807.pdf
  • Napetost - naprej (Vf) (Max) @ Če
    875mV @ 4A
  • Napetost - DC vzvratno (Vr) (maks.)
    50V
  • Hitrost
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serija
    Military, MIL-PRF-19500/477
  • Povratni čas obnovitve (trr)
    30ns
  • Pakiranje
    Bulk
  • Paket / primer
    B, Axial
  • Druga imena
    1086-2123
    1086-2123-MIL
  • Delovna temperatura - spoj
    -65°C ~ 175°C
  • Tip montaže
    Through Hole
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tip diode
    Standard
  • natančen opis
    Diode Standard 50V 6A Through Hole
  • Trenutna - povratna puščanja @ Vr
    5µA @ 50V
  • Tok - Povprečni popravek (Io)
    6A
  • Capacitance @ Vr, F
    60pF @ 10V, 1MHz

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip napoveduje 500 odpuščanj, stroški prestrukturi...

2024/12/4

Kvanta: Povpraševanje AI je še naprej močno, z enakomern...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znatno zmanjšuje uporabo fotoresista v proizvodnji...

2024/12/2

Vishay bo vložil 51 milijonov funtov v pridobljeno NWF Waf...

2024/11/29

Trumpova tarifna grožnja, Nvidia, Intelovi dobavitelji pon...

2024/11/28

Intel bo prejel 7,86 milijarde ameriških dolarjev subvenci...

2024/11/27

AMD zažene gradnjo druge faze oblikovalskega centra Bangalore

2024/11/26
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "JAN1N5807".
JAN1N5802

JAN1N5802

Opis: DIODE GEN PURP 50V 2.5A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5806

JAN1N5806

Opis: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5816

JAN1N5816

Opis: DIODE GEN PURP 150V 20A DO203AA

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
RFQ
JAN1N5802URS

JAN1N5802URS

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1A APKG

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5806US

JAN1N5806US

Opis: DIODE GEN PURP 150V 2.5A D5A

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5802US

JAN1N5802US

Opis: DIODE GEN PURP 50V 2.5A D5A

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5809US

JAN1N5809US

Opis: DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5809URS

JAN1N5809URS

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5809

JAN1N5809

Opis: DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5804US

JAN1N5804US

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2.5A D5A

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5806URS

JAN1N5806URS

Opis: DIODE GEN PURP 150V 1A APKG

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5811URS

JAN1N5811URS

Opis: DIODE GEN PURP 150V 3A BPKG

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5814

JAN1N5814

Opis: DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
RFQ
JAN1N5807URS

JAN1N5807URS

Opis: DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5804URS

JAN1N5804URS

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A APKG

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5807US

JAN1N5807US

Opis: DIODE GEN PURP 50V 6A B-MELF

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5804

JAN1N5804

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2.5A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5772

JAN1N5772

Opis: TVS DIODE 10CFLATPACK

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
RFQ
JAN1N5811US

JAN1N5811US

Opis: DIODE GEN PURP 150V 6A B-MELF

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5811

JAN1N5811

Opis: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.