Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Diode - Rectifiers - Posamezni > JAN1N5802
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
5515223

JAN1N5802

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
120+
$8.547
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    JAN1N5802
  • Proizvajalec / znamka
    Microsemi
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    DIODE GEN PURP 50V 2.5A AXIAL
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Vsebuje neusklajeno vodilo / RoHS
  • Napetost - naprej (Vf) (Max) @ Če
    975mV @ 2.5A
  • Napetost - DC vzvratno (Vr) (maks.)
    50V
  • Hitrost
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serija
    Military, MIL-PRF-19500/477
  • Povratni čas obnovitve (trr)
    25ns
  • Pakiranje
    Bulk
  • Paket / primer
    A, Axial
  • Druga imena
    1086-2117
    1086-2117-MIL
  • Delovna temperatura - spoj
    -65°C ~ 175°C
  • Tip montaže
    Through Hole
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    8 Weeks
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tip diode
    Standard
  • natančen opis
    Diode Standard 50V 2.5A Through Hole
  • Trenutna - povratna puščanja @ Vr
    1µA @ 50V
  • Tok - Povprečni popravek (Io)
    2.5A
  • Capacitance @ Vr, F
    25pF @ 10V, 1MHz

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "JAN1N5802".
JAN1N5648A

JAN1N5648A

Opis: TVS DIODE 36.8V 59.3V DO13

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5649A

JAN1N5649A

Opis: TVS DIODE 40.2V 64.8V DO13

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5711-1

JAN1N5711-1

Opis: DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO35

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5651A

JAN1N5651A

Opis: TVS DIODE 47.8V 77V DO13

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5655A

JAN1N5655A

Opis: TVS DIODE 70.1V 113V DO13

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5804US

JAN1N5804US

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2.5A D5A

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5806

JAN1N5806

Opis: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5802US

JAN1N5802US

Opis: DIODE GEN PURP 50V 2.5A D5A

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5806US

JAN1N5806US

Opis: DIODE GEN PURP 150V 2.5A D5A

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5807

JAN1N5807

Opis: DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5652A

JAN1N5652A

Opis: TVS DIODE 53V 85V DO13

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5802URS

JAN1N5802URS

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1A APKG

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5806URS

JAN1N5806URS

Opis: DIODE GEN PURP 150V 1A APKG

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5711UR-1

JAN1N5711UR-1

Opis: DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO213AA

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5807URS

JAN1N5807URS

Opis: DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5660A

JAN1N5660A

Opis: TVS DIODE 111V 179V DO13

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5804

JAN1N5804

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2.5A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5653A

JAN1N5653A

Opis: TVS DIODE 58.1V 92V DO13

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5772

JAN1N5772

Opis: TVS DIODE 10CFLATPACK

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
RFQ
JAN1N5804URS

JAN1N5804URS

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A APKG

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.