Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Diode - Rectifiers - Posamezni > JAN1N5804US
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
6334632JAN1N5804US image.Microsemi

JAN1N5804US

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    JAN1N5804US
  • Proizvajalec / znamka
    Microsemi
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    DIODE GEN PURP 100V 2.5A D5A
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Vsebuje neusklajeno vodilo / RoHS
  • Podatkovni listi
    JAN1N5804US.pdf
  • Napetost - naprej (Vf) (Max) @ Če
    975mV @ 2.5A
  • Napetost - DC vzvratno (Vr) (maks.)
    100V
  • Paket naprave za dobavitelja
    D-5A
  • Hitrost
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serija
    Military, MIL-PRF-19500/477
  • Povratni čas obnovitve (trr)
    25ns
  • Pakiranje
    Bulk
  • Paket / primer
    SQ-MELF, A
  • Druga imena
    1086-2120
    1086-2120-MIL
  • Delovna temperatura - spoj
    -65°C ~ 175°C
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tip diode
    Standard
  • natančen opis
    Diode Standard 100V 2.5A Surface Mount D-5A
  • Trenutna - povratna puščanja @ Vr
    1µA @ 100V
  • Tok - Povprečni popravek (Io)
    2.5A
  • Capacitance @ Vr, F
    25pF @ 10V, 1MHz

Antropic prejme še 4 milijarde dolarjev naložbe od Amazon...

2024/11/23

SEMI: Prodaja IC se je v tretjem četrtletju povečala za 1...

2024/11/22

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "JAN1N5804US".
JAN1N5809

JAN1N5809

Opis: DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5811

JAN1N5811

Opis: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5809URS

JAN1N5809URS

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5806

JAN1N5806

Opis: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5804

JAN1N5804

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2.5A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5802US

JAN1N5802US

Opis: DIODE GEN PURP 50V 2.5A D5A

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5655A

JAN1N5655A

Opis: TVS DIODE 70.1V 113V DO13

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5660A

JAN1N5660A

Opis: TVS DIODE 111V 179V DO13

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5802

JAN1N5802

Opis: DIODE GEN PURP 50V 2.5A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5809US

JAN1N5809US

Opis: DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5711-1

JAN1N5711-1

Opis: DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO35

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5807URS

JAN1N5807URS

Opis: DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5807

JAN1N5807

Opis: DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5806URS

JAN1N5806URS

Opis: DIODE GEN PURP 150V 1A APKG

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5711UR-1

JAN1N5711UR-1

Opis: DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO213AA

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5806US

JAN1N5806US

Opis: DIODE GEN PURP 150V 2.5A D5A

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5772

JAN1N5772

Opis: TVS DIODE 10CFLATPACK

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
RFQ
JAN1N5807US

JAN1N5807US

Opis: DIODE GEN PURP 50V 6A B-MELF

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5802URS

JAN1N5802URS

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1A APKG

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5804URS

JAN1N5804URS

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A APKG

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.