Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Diode - Rectifiers - Posamezni > JAN1N5814
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
1787383

JAN1N5814

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    JAN1N5814
  • Proizvajalec / znamka
    Microsemi
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Vsebuje neusklajeno vodilo / RoHS
  • Podatkovni listi
    JAN1N5814.pdf
  • Voltage - Peak Reverse (Max)
    Standard
  • Napetost - naprej (Vf) (Max) @ Če
    20A
  • Napetost - razčlenitev
    DO-203AA (DO-4)
  • Serija
    -
  • RoHS Status
    Bulk
  • Povratni čas obnovitve (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Odpornost @ Če, F
    300pF @ 10V, 1MHz
  • Polarizacija
    DO-203AA, DO-4, Stud
  • Druga imena
    1086-15835
    1086-15835-MIL
  • Delovna temperatura - spoj
    35ns
  • Tip montaže
    Chassis, Stud Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Številka izdelka proizvajalca
    JAN1N5814
  • Razširjen opis
    Diode Standard 100V 20A Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4)
  • Konfiguracija diode
    10µA @ 100V
  • Opis
    DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA
  • Trenutna - povratna puščanja @ Vr
    950mV @ 20A
  • Tok - Povprečna napetost (Io) (na diodo)
    100V
  • Capacitance @ Vr, F
    -65°C ~ 175°C

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "JAN1N5814".
JAN1N5811URS

JAN1N5811URS

Opis: DIODE GEN PURP 150V 3A BPKG

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5807URS

JAN1N5807URS

Opis: DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5907

JAN1N5907

Opis: TVS DIODE 5V 8.5V DO13

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6036A

JAN1N6036A

Opis: TVS DIODE 6V 11.3V DO13

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5806US

JAN1N5806US

Opis: DIODE GEN PURP 150V 2.5A D5A

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5807

JAN1N5807

Opis: DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5807US

JAN1N5807US

Opis: DIODE GEN PURP 50V 6A B-MELF

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5822

JAN1N5822

Opis: DIODE SCHOTTKY 40V 3A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5811

JAN1N5811

Opis: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5809URS

JAN1N5809URS

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5809US

JAN1N5809US

Opis: DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5819UR-1/TR

JAN1N5819UR-1/TR

Opis: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6043A

JAN1N6043A

Opis: TVS DIODE 12V 21.2V DO13

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5819UR-1

JAN1N5819UR-1

Opis: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5811US

JAN1N5811US

Opis: DIODE GEN PURP 150V 6A B-MELF

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5819-1

JAN1N5819-1

Opis: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO41

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5968

JAN1N5968

Opis: DIODE ZENER 5.6V 5W AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5809

JAN1N5809

Opis: DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5816

JAN1N5816

Opis: DIODE GEN PURP 150V 20A DO203AA

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
RFQ
JAN1N6039A

JAN1N6039A

Opis: TVS DIODE 8.5V 14.5V DO13

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.