Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - IGBT - Posamezni > APT35GN120L2DQ2G
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
681748APT35GN120L2DQ2G image.Microsemi

APT35GN120L2DQ2G

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
1+
$13.01
10+
$11.711
25+
$10.67
100+
$9.629
250+
$8.849
500+
$8.068
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    APT35GN120L2DQ2G
  • Proizvajalec / znamka
    Microsemi
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    IGBT 1200V 94A 379W TO264
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    1.APT35GN120L2DQ2G.pdf
    2.APT35GN120L2DQ2G.pdf
  • Napetost - razčlenitev kolektorjev kolektorja (maks.)
    1200V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 35A
  • Test Condition
    800V, 35A, 2.2 Ohm, 15V
  • Td (vklop / izklop) @ 25 ° C
    24ns/300ns
  • Preklop energije
    2.315mJ (off)
  • Serija
    -
  • Moč - maks
    379W
  • Pakiranje
    Tube
  • Paket / primer
    TO-264-3, TO-264AA
  • Druga imena
    APT35GN120L2DQ2GMI
    APT35GN120L2DQ2GMI-ND
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Through Hole
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    32 Weeks
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vrsta vnosa
    Standard
  • Vrsta IGBT
    NPT, Trench Field Stop
  • Gate Charge
    220nC
  • natančen opis
    IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 94A 379W Through Hole
  • Trenutni - impulzni kolektor (Icm)
    105A
  • Tok - zbiralec (Ic) (maks.)
    94A

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "APT35GN120L2DQ2G".
APT34N80LC3G

APT34N80LC3G

Opis: MOSFET N-CH 800V 34A TO-264

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT34M120J

APT34M120J

Opis: MOSFET N-CH 1200V 34A SOT-227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT35GP120B2DQ2G

APT35GP120B2DQ2G

Opis: IGBT 1200V 96A 543W TMAX

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT35GP120JDQ2

APT35GP120JDQ2

Opis: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT35GP120BG

APT35GP120BG

Opis: IGBT 1200V 96A 543W TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT35GT120JU3

APT35GT120JU3

Opis: IGBT 1200V 55A 260W SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT35GN120BG

APT35GN120BG

Opis: IGBT 1200V 94A 379W TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT35SM70S

APT35SM70S

Opis: MOSFET N-CH 700V D3PAK

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT34F60B

APT34F60B

Opis: MOSFET N-CH 600V 34A TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT34F60BG

APT34F60BG

Opis: MOSFET N-CH 600V 34A TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT35GA90BD15

APT35GA90BD15

Opis: IGBT 900V 63A 290W TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT36GA60B

APT36GA60B

Opis: IGBT 600V 65A 290W TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT35DL120HJ

APT35DL120HJ

Opis: DIODE MODULE 1.2KV SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT35GT120JU2

APT35GT120JU2

Opis: IGBT 1200V 35A 260W SOT-227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT35GP120J

APT35GP120J

Opis: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT34M60B

APT34M60B

Opis: MOSFET N-CH 600V 36A TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT34N80B2C3G

APT34N80B2C3G

Opis: MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT35GA90B

APT35GA90B

Opis: IGBT 900V 63A 290W TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT36GA60BD15

APT36GA60BD15

Opis: IGBT 600V 65A 290W TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
APT35SM70B

APT35SM70B

Opis: MOSFET N-CH 700V TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.