Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - IGBT - Posamezni > APT36GA60B
Zahtevaj ponudbo
Slovenija
411460APT36GA60B image.Microsemi

APT36GA60B

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
1+
$6.81
10+
$6.078
30+
$5.47
120+
$4.984
270+
$4.498
510+
$4.036
1020+
$3.404
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    APT36GA60B
  • Proizvajalec / znamka
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    IGBT 600V 65A 290W TO-247
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
  • ECAD model
  • Napetost - razčlenitev kolektorjev kolektorja (maks.)
    600V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.5V @ 15V, 20A
  • Test Condition
    400V, 20A, 10 Ohm, 15V
  • Td (vklop / izklop) @ 25 ° C
    16ns/122ns
  • Preklop energije
    307µJ (on), 254µJ (off)
  • Paket naprave za dobavitelja
    TO-247 [B]
  • Serija
    POWER MOS 8™
  • Moč - maks
    290W
  • Pakiranje
    Tube
  • Paket / primer
    TO-247-3
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Through Hole
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    29 Weeks
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vrsta vnosa
    Standard
  • Vrsta IGBT
    PT
  • Gate Charge
    102nC
  • natančen opis
    IGBT PT 600V 65A 290W Through Hole TO-247 [B]
  • Trenutni - impulzni kolektor (Icm)
    109A
  • Tok - zbiralec (Ic) (maks.)
    65A
APT35GT120JU3

APT35GT120JU3

Opis: IGBT 1200V 55A 260W SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT35SM70S

APT35SM70S

Opis: MOSFET N-CH 700V D3PAK

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT35GT120JU2

APT35GT120JU2

Opis: IGBT 1200V 35A 260W SOT-227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT35SM70B

APT35SM70B

Opis: MOSFET N-CH 700V TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT38F80L

APT38F80L

Opis: MOSFET N-CH 800V 41A TO-264

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT36N90BC3G

APT36N90BC3G

Opis: MOSFET N-CH 900V 36A TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT37F50B

APT37F50B

Opis: MOSFET N-CH 500V 37A TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT36GA60BD15

APT36GA60BD15

Opis: IGBT 600V 65A 290W TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT35GP120BG

APT35GP120BG

Opis: IGBT 1200V 96A 543W TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT37M100B2

APT37M100B2

Opis: MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT37M100L

APT37M100L

Opis: MOSFET N-CH 1000V 37A TO-264

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT37F50S

APT37F50S

Opis: MOSFET N-CH 500V 37A D3PAK

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT35GN120L2DQ2G

APT35GN120L2DQ2G

Opis: IGBT 1200V 94A 379W TO264

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT38F50J

APT38F50J

Opis: MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT35GP120J

APT35GP120J

Opis: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT38F80B2

APT38F80B2

Opis: MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT35GN120BG

APT35GN120BG

Opis: IGBT 1200V 94A 379W TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT35GP120JDQ2

APT35GP120JDQ2

Opis: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT38M50J

APT38M50J

Opis: MOSFET N-CH 500V 38A ISOTOP

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT35GP120B2DQ2G

APT35GP120B2DQ2G

Opis: IGBT 1200V 96A 543W TMAX

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi

Review (1)

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod