Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - IGBT - Posamezni > APT35GA90B
Zahtevaj ponudbo
Slovenija
1701713APT35GA90B image.Microsemi

APT35GA90B

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
120+
$4.953
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    APT35GA90B
  • Proizvajalec / znamka
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    IGBT 900V 63A 290W TO-247
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
  • ECAD model
  • Napetost - razčlenitev kolektorjev kolektorja (maks.)
    900V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    3.1V @ 15V, 18A
  • Test Condition
    600V, 18A, 10 Ohm, 15V
  • Td (vklop / izklop) @ 25 ° C
    12ns/104ns
  • Preklop energije
    642µJ (on), 382µJ (off)
  • Paket naprave za dobavitelja
    TO-247 [B]
  • Serija
    POWER MOS 8™
  • Moč - maks
    290W
  • Pakiranje
    Tube
  • Paket / primer
    TO-247-3
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Through Hole
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    26 Weeks
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vrsta vnosa
    Standard
  • Vrsta IGBT
    PT
  • Gate Charge
    84nC
  • natančen opis
    IGBT PT 900V 63A 290W Through Hole TO-247 [B]
  • Trenutni - impulzni kolektor (Icm)
    105A
  • Tok - zbiralec (Ic) (maks.)
    63A
APT35GA90BD15

APT35GA90BD15

Opis: IGBT 900V 63A 290W TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT34M60B

APT34M60B

Opis: MOSFET N-CH 600V 36A TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT35GT120JU2

APT35GT120JU2

Opis: IGBT 1200V 35A 260W SOT-227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT34F100L

APT34F100L

Opis: MOSFET N-CH 1000V 35A TO264

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT35GP120B2DQ2G

APT35GP120B2DQ2G

Opis: IGBT 1200V 96A 543W TMAX

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT35GN120BG

APT35GN120BG

Opis: IGBT 1200V 94A 379W TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT35GT120JU3

APT35GT120JU3

Opis: IGBT 1200V 55A 260W SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT33N90JCU3

APT33N90JCU3

Opis: MOSFET N-CH 900V 33A SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT34M120J

APT34M120J

Opis: MOSFET N-CH 1200V 34A SOT-227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT34F100B2

APT34F100B2

Opis: MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT35SM70B

APT35SM70B

Opis: MOSFET N-CH 700V TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT34N80B2C3G

APT34N80B2C3G

Opis: MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT35GP120BG

APT35GP120BG

Opis: IGBT 1200V 96A 543W TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT35GN120L2DQ2G

APT35GN120L2DQ2G

Opis: IGBT 1200V 94A 379W TO264

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT35GP120J

APT35GP120J

Opis: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT34F60BG

APT34F60BG

Opis: MOSFET N-CH 600V 34A TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT35GP120JDQ2

APT35GP120JDQ2

Opis: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT35DL120HJ

APT35DL120HJ

Opis: DIODE MODULE 1.2KV SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT34F60B

APT34F60B

Opis: MOSFET N-CH 600V 34A TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT34N80LC3G

APT34N80LC3G

Opis: MOSFET N-CH 800V 34A TO-264

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi

Review (1)

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod