Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > GP2M012A060F
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
3754210GP2M012A060F image.Global Power Technologies Group

GP2M012A060F

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    GP2M012A060F
  • Proizvajalec / znamka
    SemiQ
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    GP2M012A060F.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    TO-220F
  • Serija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    650 mOhm @ 6A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    53.4W (Tc)
  • Pakiranje
    Tube
  • Paket / primer
    TO-220-3 Full Pack
  • Druga imena
    1560-1210-1
    1560-1210-1-ND
    1560-1210-5
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Through Hole
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    1890pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    40nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    600V
  • natančen opis
    N-Channel 600V 12A (Tc) 53.4W (Tc) Through Hole TO-220F
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    12A (Tc)

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "GP2M012A060F".
GP2M020A050H

GP2M020A050H

Opis: MOSFET N-CH 500V 18A TO220

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP2S24ABJ00F

GP2S24ABJ00F

Opis: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM PCB

Proizvajalci: Sharp Microelectronics
Na zalogi
RFQ
GP2M010A060H

GP2M010A060H

Opis: MOSFET N-CH 600V 10A TO220

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP2M008A060PGH

GP2M008A060PGH

Opis: MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP2M020A050N

GP2M020A050N

Opis: MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP2M011A090NG

GP2M011A090NG

Opis: MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP2M020A060N

GP2M020A060N

Opis: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP2S24

GP2S24

Opis: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM DIP

Proizvajalci: Sharp Microelectronics
Na zalogi
RFQ
GP2M020A050F

GP2M020A050F

Opis: MOSFET N-CH 500V 18A TO220F

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP2M008A060HG

GP2M008A060HG

Opis: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP2M008A060PG

GP2M008A060PG

Opis: MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP2M023A050N

GP2M023A050N

Opis: MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP2M010A065H

GP2M010A065H

Opis: MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP2M010A065F

GP2M010A065F

Opis: MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220F

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP2M010A060F

GP2M010A060F

Opis: MOSFET N-CH 600V 10A TO220F

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP2M012A080NG

GP2M012A080NG

Opis: MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP2M009A090FG

GP2M009A090FG

Opis: MOSFET N-CH 900V 9A TO220F

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP2M013A050F

GP2M013A050F

Opis: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP2M012A060H

GP2M012A060H

Opis: MOSFET N-CH 600V 12A TO220

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP2M009A090NG

GP2M009A090NG

Opis: MOSFET N-CH 900V 9A TO3PN

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.