Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > GP2M020A060N
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
516983GP2M020A060N image.Global Power Technologies Group

GP2M020A060N

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    GP2M020A060N
  • Proizvajalec / znamka
    SemiQ
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    GP2M020A060N.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    TO-3PN
  • Serija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    330 mOhm @ 10A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    347W (Tc)
  • Pakiranje
    Tube
  • Paket / primer
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Druga imena
    1560-1214-1
    1560-1214-1-ND
    1560-1214-5
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Through Hole
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    3184pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    70nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    600V
  • natančen opis
    N-Channel 600V 20A (Tc) 347W (Tc) Through Hole TO-3PN
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    20A (Tc)

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "GP2M020A060N".
GP2M012A080NG

GP2M012A080NG

Opis: MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP2S27T2J00F

GP2S27T2J00F

Opis: PHOTOINTERRUPTER REFL 0.7MM SMD

Proizvajalci: Sharp Microelectronics
Na zalogi
RFQ
GP2S24J0000F

GP2S24J0000F

Opis: PHOTOINTERRUPTER TRANS OUT 4X3

Proizvajalci: Sharp Microelectronics
Na zalogi
RFQ
GP2M023A050N

GP2M023A050N

Opis: MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP2S24CJ000F

GP2S24CJ000F

Opis: PHOTOINTERRUPTER REFL 0.7MM PCB

Proizvajalci: Sharp Microelectronics
Na zalogi
RFQ
GP2S27T3J00F

GP2S27T3J00F

Opis: PHOTOINTERRUPTER REFL 0.7MM SMD

Proizvajalci: Sharp Microelectronics
Na zalogi
RFQ
GP2S24BCJ00F

GP2S24BCJ00F

Opis: PHOTOINTERRUPTER TRANS OUT 4X3

Proizvajalci: Sharp Microelectronics
Na zalogi
RFQ
GP2M011A090NG

GP2M011A090NG

Opis: MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP2M013A050F

GP2M013A050F

Opis: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP2M020A050N

GP2M020A050N

Opis: MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP2M010A065H

GP2M010A065H

Opis: MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP2S24BJ000F

GP2S24BJ000F

Opis: PHOTOINTERRUPTER REFL 0.7MM PCB

Proizvajalci: Sharp Microelectronics
Na zalogi
RFQ
GP2M010A065F

GP2M010A065F

Opis: MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220F

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP2M020A050F

GP2M020A050F

Opis: MOSFET N-CH 500V 18A TO220F

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP2M020A050H

GP2M020A050H

Opis: MOSFET N-CH 500V 18A TO220

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP2S24ABJ00F

GP2S24ABJ00F

Opis: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM PCB

Proizvajalci: Sharp Microelectronics
Na zalogi
RFQ
GP2M012A060H

GP2M012A060H

Opis: MOSFET N-CH 600V 12A TO220

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP2S27T

GP2S27T

Opis: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM SMD

Proizvajalci: Sharp Microelectronics
Na zalogi
RFQ
GP2S24

GP2S24

Opis: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM DIP

Proizvajalci: Sharp Microelectronics
Na zalogi
RFQ
GP2M012A060F

GP2M012A060F

Opis: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.