Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > GP2M008A060PGH
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
6711368GP2M008A060PGH image.Global Power Technologies Group

GP2M008A060PGH

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    GP2M008A060PGH
  • Proizvajalec / znamka
    SemiQ
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    GP2M008A060PGH.pdf
  • ECAD model
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    I-PAK
  • Serija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.2 Ohm @ 3.75A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    120W (Tc)
  • Pakiranje
    Tube
  • Paket / primer
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Druga imena
    1560-1205-1
    1560-1205-1-ND
    1560-1205-5
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Through Hole
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    1063pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    23nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    600V
  • natančen opis
    N-Channel 600V 7.5A (Tc) 120W (Tc) Through Hole I-PAK
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    7.5A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip napoveduje 500 odpuščanj, stroški prestrukturi...

2024/12/4

Kvanta: Povpraševanje AI je še naprej močno, z enakomern...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znatno zmanjšuje uporabo fotoresista v proizvodnji...

2024/12/2

Vishay bo vložil 51 milijonov funtov v pridobljeno NWF Waf...

2024/11/29

Trumpova tarifna grožnja, Nvidia, Intelovi dobavitelji pon...

2024/11/28

Intel bo prejel 7,86 milijarde ameriških dolarjev subvenci...

2024/11/27
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "GP2M008A060PGH".
GP2M011A090NG

GP2M011A090NG

Opis: MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP2M010A065H

GP2M010A065H

Opis: MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP2M012A060F

GP2M012A060F

Opis: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP2M010A060H

GP2M010A060H

Opis: MOSFET N-CH 600V 10A TO220

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP2M007A065HG

GP2M007A065HG

Opis: MOSFET N-CH 650V 6.5A TO220

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP2M005A060PGH

GP2M005A060PGH

Opis: MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP2M005A060HG

GP2M005A060HG

Opis: MOSFET N-CH 600V 4.2A TO220

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP2M010A065F

GP2M010A065F

Opis: MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220F

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP2M012A080NG

GP2M012A080NG

Opis: MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP2M007A080F

GP2M007A080F

Opis: MOSFET N-CH 800V 7A TO220F

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP2M005A060PG

GP2M005A060PG

Opis: MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP2M008A060PG

GP2M008A060PG

Opis: MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP2M008A060CG

GP2M008A060CG

Opis: MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP2M009A090NG

GP2M009A090NG

Opis: MOSFET N-CH 900V 9A TO3PN

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP2M009A090FG

GP2M009A090FG

Opis: MOSFET N-CH 900V 9A TO220F

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP2M010A060F

GP2M010A060F

Opis: MOSFET N-CH 600V 10A TO220F

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP2M008A060FGH

GP2M008A060FGH

Opis: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP2M008A060FG

GP2M008A060FG

Opis: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP2M012A060H

GP2M012A060H

Opis: MOSFET N-CH 600V 12A TO220

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP2M008A060HG

GP2M008A060HG

Opis: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasNoviceZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.