SISA34DN-T1-GE3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi

$0.62

10+

$0.518

100+

$0.389

500+

$0.285

1000+

$0.22

Povpraševanje na spletu

Specifikacije

Številka dela

SISA34DN-T1-GE3
Proizvajalec / znamka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Količina zalog

Na zalogi
Opis

MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212
Status svobodnega statusa / RoHS

Brez svinca / RoHS
Podatkovni listi

SISA34DN-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA
Vgs (Max)

+20V, -16V
Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)
Paket naprave za dobavitelja

PowerPAK® 1212-8
Serija

TrenchFET® Gen IV
Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.7 mOhm @ 10A, 10V
Odmik moči (maks.)

20.8W (Tc)
Pakiranje

Cut Tape (CT)
Paket / primer

PowerPAK® 1212-8
Druga imena

SISA34DN-T1-GE3CT
delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže

Surface Mount
Raven občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)
Status svobodnega statusa / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 4.5V
Vrsta FET

N-Channel
Funkcija FET

-
Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)

4.5V, 10V
Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)

30V
natančen opis

N-Channel 30V 40A (Tc) 20.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C

40A (Tc)

Sledi izdelki, povezani z "SISA34DN-T1-GE3".

SISA24DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SISC050N10DX1SA1

Opis: MOSFET N-CHAN SAWED WAFER

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na zalogi

RFQ

SISA26DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SISA14DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SISB46DN-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 40V POWERPAK 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SISA18ADN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SISC185N06LX1SA1

Opis: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na zalogi

RFQ

SISA10DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 30A 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SISC06DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SISA72DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAK1212

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SISC097N24DX1SA1

Opis: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na zalogi

RFQ

SISA96DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAK1212

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SISA04DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SISA18DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SISC262SN06LX1SA1

Opis: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na zalogi

RFQ

SISA66DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SISA16DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V D-S PPAK 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SISA12ADN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SISC29N20DX1SA1

Opis: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na zalogi

RFQ

SISA01DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V POWERPAK 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Vnaprejšnja registracija

SISA34DN-T1-GE3

Zahtevaj ponudbo

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

SISA24DN-T1-GE3

SISC050N10DX1SA1

SISA26DN-T1-GE3

SISA14DN-T1-GE3

SISB46DN-T1-GE3

SISA18ADN-T1-GE3

SISC185N06LX1SA1

SISA10DN-T1-GE3

SISC06DN-T1-GE3

SISA72DN-T1-GE3

SISC097N24DX1SA1

SISA96DN-T1-GE3

SISA04DN-T1-GE3

SISA18DN-T1-GE3

SISC262SN06LX1SA1

SISA66DN-T1-GE3

SISA16DN-T1-GE3

SISA12ADN-T1-GE3

SISC29N20DX1SA1

SISA01DN-T1-GE3

Izberi jezik

Trenutni jezik