Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

*ime podjetja
*Ime
*Naslov

*Email naslov
*Telefonska številka

*Država
*Kontaktno okno
*Datum dogodka

*Sporočilo

Za obiskovalce na Electronici 2024

Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.

Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > SISA10DN-T1-GE3

RFQs/naročilo (0)

Slovenija

Slovenija

6926906

SISA10DN-T1-GE3 image.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SISA10DN-T1-GE3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi

3000+

$0.483

Povpraševanje na spletu

Specifikacije

Številka dela

SISA10DN-T1-GE3
Proizvajalec / znamka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Količina zalog

Na zalogi
Opis

MOSFET N-CH 30V 30A 1212-8
Status svobodnega statusa / RoHS

Brez svinca / RoHS
Podatkovni listi

SISA10DN-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA
Vgs (Max)

+20V, -16V
Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)
Paket naprave za dobavitelja

PowerPAK® 1212-8
Serija

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.7 mOhm @ 10A, 10V
Odmik moči (maks.)

3.6W (Ta), 39W (Tc)
Pakiranje

Tape & Reel (TR)
Paket / primer

PowerPAK® 1212-8
Druga imena

SISA10DN-T1-GE3TR
SISA10DNT1GE3
delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže

Surface Mount
Raven občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)
Proizvajalec Standardni čas vodenja

32 Weeks
Status svobodnega statusa / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds

2425pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

51nC @ 10V
Vrsta FET

N-Channel
Funkcija FET

-
Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)

4.5V, 10V
Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)

30V
natančen opis

N-Channel 30V 30A (Tc) 3.6W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C

30A (Tc)

Sorodne novice
Dostava
Plačilo

Antropic prejme še 4 milijarde dolarjev naložbe od Amazon...

SEMI: Prodaja IC se je v tretjem četrtletju povečala za 1...

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

Dostava

Plačilo

Sledi izdelki, povezani z "SISA10DN-T1-GE3".

SIS932EDN-T1-GE3

SIS932EDN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIS892DN-T1-GE3

SIS892DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SISA26DN-T1-GE3

SISA26DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIS990DN-T1-GE3

SIS990DN-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIS892ADN-T1-GE3

SIS892ADN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 28A PPAK 1212

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SISA24DN-T1-GE3

SISA24DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SISA34DN-T1-GE3

SISA34DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIS888DN-T1-GE3

SIS888DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIS902DN-T1-GE3

SIS902DN-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SISA72DN-T1-GE3

SISA72DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAK1212

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SISA66DN-T1-GE3

SISA66DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIS903DN-T1-GE3

SIS903DN-T1-GE3

Opis: MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SISA14DN-T1-GE3

SISA14DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SISA04DN-T1-GE3

SISA04DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIS890DN-T1-GE3

SIS890DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SISA01DN-T1-GE3

SISA01DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V POWERPAK 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SISA12ADN-T1-GE3

SISA12ADN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SISA18DN-T1-GE3

SISA18DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SISA16DN-T1-GE3

SISA16DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V D-S PPAK 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SISA18ADN-T1-GE3

SISA18ADN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.

Sledi nam

Pogoji uporabe Politika kršitve Zahtevajte ponudbo O nas Kontaktiraj nas Zemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.