Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > SISA66DN-T1-GE3
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
3797592SISA66DN-T1-GE3 image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SISA66DN-T1-GE3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
6000+
$0.434
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    SISA66DN-T1-GE3
  • Proizvajalec / znamka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212
  • Status svobodnega statusa / RoHS
  • Podatkovni listi
    SISA66DN-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.2V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    +20V, -16V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    PowerPAK® 1212-8
  • Serija
    TrenchFET® Gen IV
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.3 mOhm @ 15A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    52W (Tc)
  • Pakiranje
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / primer
    PowerPAK® 1212-8
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    32 Weeks
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    3014pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    66nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    4.5V, 10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    30V
  • natančen opis
    N-Channel 30V 40A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    40A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip napoveduje 500 odpuščanj, stroški prestrukturi...

2024/12/4

Kvanta: Povpraševanje AI je še naprej močno, z enakomern...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znatno zmanjšuje uporabo fotoresista v proizvodnji...

2024/12/2

Vishay bo vložil 51 milijonov funtov v pridobljeno NWF Waf...

2024/11/29

Trumpova tarifna grožnja, Nvidia, Intelovi dobavitelji pon...

2024/11/28

Intel bo prejel 7,86 milijarde ameriških dolarjev subvenci...

2024/11/27

AMD zažene gradnjo druge faze oblikovalskega centra Bangalore

2024/11/26
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "SISA66DN-T1-GE3".
SISA10DN-T1-GE3

SISA10DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 30A 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SISC185N06LX1SA1

SISC185N06LX1SA1

Opis: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na zalogi
RFQ
SISA16DN-T1-GE3

SISA16DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V D-S PPAK 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SISA18ADN-T1-GE3

SISA18ADN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SISA24DN-T1-GE3

SISA24DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SISA72DN-T1-GE3

SISA72DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAK1212

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SISC624P06X3MA1

SISC624P06X3MA1

Opis: SMALL SIGNAL+P-CH

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na zalogi
RFQ
SISC262SN06LX1SA1

SISC262SN06LX1SA1

Opis: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na zalogi
RFQ
SISC050N10DX1SA1

SISC050N10DX1SA1

Opis: MOSFET N-CHAN SAWED WAFER

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na zalogi
RFQ
SISA04DN-T1-GE3

SISA04DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SISA96DN-T1-GE3

SISA96DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAK1212

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SISA26DN-T1-GE3

SISA26DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SISC29N20DX1SA1

SISC29N20DX1SA1

Opis: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na zalogi
RFQ
SISA12ADN-T1-GE3

SISA12ADN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SISB46DN-T1-GE3

SISB46DN-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 40V POWERPAK 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SISA14DN-T1-GE3

SISA14DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SISC06DN-T1-GE3

SISC06DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SISA34DN-T1-GE3

SISA34DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SISC097N24DX1SA1

SISC097N24DX1SA1

Opis: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na zalogi
RFQ
SISA18DN-T1-GE3

SISA18DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.