Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > SIS414DN-T1-GE3
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
5371562SIS414DN-T1-GE3 image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIS414DN-T1-GE3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
3000+
$0.35
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    SIS414DN-T1-GE3
  • Proizvajalec / znamka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8 PPAK
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    SIS414DN-T1-GE3.pdf
  • ECAD model
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    PowerPAK® 1212-8
  • Serija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    16 mOhm @ 10A, 4.5V
  • Odmik moči (maks.)
    3.4W (Ta), 31W (Tc)
  • Pakiranje
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / primer
    PowerPAK® 1212-8
  • Druga imena
    SIS414DN-T1-GE3TR
    SIS414DNT1GE3
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    795pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    33nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    2.5V, 4.5V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    30V
  • natančen opis
    N-Channel 30V 20A (Tc) 3.4W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    20A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip napoveduje 500 odpuščanj, stroški prestrukturi...

2024/12/4

Kvanta: Povpraševanje AI je še naprej močno, z enakomern...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znatno zmanjšuje uporabo fotoresista v proizvodnji...

2024/12/2

Vishay bo vložil 51 milijonov funtov v pridobljeno NWF Waf...

2024/11/29

Trumpova tarifna grožnja, Nvidia, Intelovi dobavitelji pon...

2024/11/28

Intel bo prejel 7,86 milijarde ameriških dolarjev subvenci...

2024/11/27
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "SIS414DN-T1-GE3".
SIS412DN-T1-GE3

SIS412DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 PPAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIS330DN-T1-GE3

SIS330DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIS438DN-T1-GE3

SIS438DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIS410DN-T1-GE3

SIS410DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIS435DNT-T1-GE3

SIS435DNT-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 30A 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIS334DN-T1-GE3

SIS334DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIS426DN-T1-GE3

SIS426DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 35A 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIS429DNT-T1-GE3

SIS429DNT-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 20A POWERPAK1212

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIS424DN-T1-GE3

SIS424DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIS415DNT-T1-GE3

SIS415DNT-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIS322DNT-T1-GE3

SIS322DNT-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIS402DN-T1-GE3

SIS402DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIS434DN-T1-GE3

SIS434DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIS430DN-T1-GE3

SIS430DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIS413DN-T1-GE3

SIS413DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIS436DN-T1-GE3

SIS436DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 16A PPAK 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIS406DN-T1-GE3

SIS406DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8 PPAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIS427EDN-T1-GE3

SIS427EDN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIS407DN-T1-GE3

SIS407DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 25A 1212-8 PPAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIS407ADN-T1-GE3

SIS407ADN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 18A 1212-8 PPAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasNoviceZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.