Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > SIS407ADN-T1-GE3
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
1140680SIS407ADN-T1-GE3 image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIS407ADN-T1-GE3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
1+
$1.07
10+
$0.935
100+
$0.721
500+
$0.534
1000+
$0.427
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    SIS407ADN-T1-GE3
  • Proizvajalec / znamka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET P-CH 20V 18A 1212-8 PPAK
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    SIS407ADN-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    PowerPAK® 1212-8
  • Serija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9 mOhm @ 15A, 4.5V
  • Odmik moči (maks.)
    3.7W (Ta), 39.1W (Tc)
  • Pakiranje
    Original-Reel®
  • Paket / primer
    PowerPAK® 1212-8
  • Druga imena
    SIS407ADN-T1-GE3DKR
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    5875pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    168nC @ 8V
  • Vrsta FET
    P-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    1.8V, 4.5V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    20V
  • natančen opis
    P-Channel 20V 18A (Tc) 3.7W (Ta), 39.1W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    18A (Tc)

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "SIS407ADN-T1-GE3".
SIS106DN-T1-GE3

SIS106DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK 1212-

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIS407DN-T1-GE3

SIS407DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 25A 1212-8 PPAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIS402DN-T1-GE3

SIS402DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIS413DN-T1-GE3

SIS413DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIS410DN-T1-GE3

SIS410DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIS427EDN-T1-GE3

SIS427EDN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIS07VE

SIS07VE

Opis: DC DC CONVERTER 3.3V 23W

Proizvajalci: Bel
Na zalogi
RFQ
SIS07VD

SIS07VD

Opis: DC DC CONVERTER 2.5V 17W

Proizvajalci: Bel
Na zalogi
RFQ
SIS412DN-T1-GE3

SIS412DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 PPAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIS110DN-T1-GE3

SIS110DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIS322DNT-T1-GE3

SIS322DNT-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIS426DN-T1-GE3

SIS426DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 35A 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIS184DN-T1-GE3

SIS184DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK 1212-

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIS406DN-T1-GE3

SIS406DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8 PPAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIS424DN-T1-GE3

SIS424DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIS414DN-T1-GE3

SIS414DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8 PPAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIS330DN-T1-GE3

SIS330DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIS429DNT-T1-GE3

SIS429DNT-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 20A POWERPAK1212

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIS415DNT-T1-GE3

SIS415DNT-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIS334DN-T1-GE3

SIS334DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.