4320807

SIS406DN-T1-GE3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi

3000+

$0.342

Povpraševanje na spletu

Specifikacije

Številka dela

SIS406DN-T1-GE3
Proizvajalec / znamka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Količina zalog

Na zalogi
Opis

MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8 PPAK
Status svobodnega statusa / RoHS

Brez svinca / RoHS
Podatkovni listi

SIS406DN-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)
Paket naprave za dobavitelja

PowerPAK® 1212-8
Serija

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

11 mOhm @ 12A, 10V
Odmik moči (maks.)

1.5W (Ta)
Pakiranje

Tape & Reel (TR)
Paket / primer

PowerPAK® 1212-8
Druga imena

SIS406DN-T1-GE3TR
SIS406DNT1GE3
delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže

Surface Mount
Raven občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)
Proizvajalec Standardni čas vodenja

27 Weeks
Status svobodnega statusa / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 10V
Vrsta FET

N-Channel
Funkcija FET

-
Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)

4.5V, 10V
Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)

30V
natančen opis

N-Channel 30V 9A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C

9A (Ta)

Sledi izdelki, povezani z "SIS406DN-T1-GE3".

SIS330DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SIS334DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SIS414DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8 PPAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SIS407DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 25A 1212-8 PPAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SIS424DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SIS426DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 35A 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SIS110DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SIS427EDN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SIS407ADN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 18A 1212-8 PPAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SIS410DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SIS413DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SIS07VD

Opis: DC DC CONVERTER 2.5V 17W

Proizvajalci: Bel

Na zalogi

RFQ

SIS184DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK 1212-

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SIS415DNT-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SIS412DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 PPAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SIS402DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SIS322DNT-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SIS07VE

Opis: DC DC CONVERTER 3.3V 23W

Proizvajalci: Bel

Na zalogi

RFQ

SIS106DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK 1212-

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SIS07VB

Opis: DC DC CONVERTER 1.8V 12W

Proizvajalci: Bel

Na zalogi

RFQ

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Vnaprejšnja registracija

SIS406DN-T1-GE3

Zahtevaj ponudbo

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

SIS330DN-T1-GE3

SIS334DN-T1-GE3

SIS414DN-T1-GE3

SIS407DN-T1-GE3

SIS424DN-T1-GE3

SIS426DN-T1-GE3

SIS110DN-T1-GE3

SIS427EDN-T1-GE3

SIS407ADN-T1-GE3

SIS410DN-T1-GE3

SIS413DN-T1-GE3

SIS07VD

SIS184DN-T1-GE3

SIS415DNT-T1-GE3

SIS412DN-T1-GE3

SIS402DN-T1-GE3

SIS322DNT-T1-GE3

SIS07VE

SIS106DN-T1-GE3

SIS07VB

Izberi jezik

Trenutni jezik