Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

*ime podjetja
*Ime
*Naslov

*Email naslov
*Telefonska številka

*Država
*Kontaktno okno
*Datum dogodka

*Sporočilo

Za obiskovalce na Electronici 2024

Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.

Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > SIS430DN-T1-GE3

RFQs/naročilo (0)

Slovenija

Slovenija

5065086

SIS430DN-T1-GE3 image.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIS430DN-T1-GE3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi

3000+

$0.499

Povpraševanje na spletu

Specifikacije

Številka dela

SIS430DN-T1-GE3
Proizvajalec / znamka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Količina zalog

Na zalogi
Opis

MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8
Status svobodnega statusa / RoHS

Brez svinca / RoHS
Podatkovni listi

SIS430DN-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)
Paket naprave za dobavitelja

PowerPAK® 1212-8
Serija

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.1 mOhm @ 20A, 10V
Odmik moči (maks.)

3.8W (Ta), 52W (Tc)
Pakiranje

Tape & Reel (TR)
Paket / primer

PowerPAK® 1212-8
Druga imena

SIS430DN-T1-GE3-ND
SIS430DN-T1-GE3TR
SIS430DNT1GE3
delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže

Surface Mount
Raven občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)
Status svobodnega statusa / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds

1600pF @ 12.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V
Vrsta FET

N-Channel
Funkcija FET

-
Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)

4.5V, 10V
Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)

25V
natančen opis

N-Channel 25V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C

35A (Tc)

Sorodne novice
Dostava
Plačilo

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

Dostava

Plačilo

Sledi izdelki, povezani z "SIS430DN-T1-GE3".

SIS435DNT-T1-GE3

SIS435DNT-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 30A 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIS443DN-T1-GE3

SIS443DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIS413DN-T1-GE3

SIS413DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIS415DNT-T1-GE3

SIS415DNT-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIS436DN-T1-GE3

SIS436DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 16A PPAK 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIS424DN-T1-GE3

SIS424DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIS439DNT-T1-GE3

SIS439DNT-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIS426DN-T1-GE3

SIS426DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 35A 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIS444DN-T1-GE3

SIS444DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 35A POWERPAK1212

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIS414DN-T1-GE3

SIS414DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8 PPAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIS438DN-T1-GE3

SIS438DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIS447DN-T1-GE3

SIS447DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 18A POWERPAK1212

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIS448DN-T1-GE3

SIS448DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIS427EDN-T1-GE3

SIS427EDN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIS452DN-T1-GE3

SIS452DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8 PPAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIS412DN-T1-GE3

SIS412DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 PPAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIS434DN-T1-GE3

SIS434DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIS429DNT-T1-GE3

SIS429DNT-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 20A POWERPAK1212

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIS407DN-T1-GE3

SIS407DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 25A 1212-8 PPAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIS410DN-T1-GE3

SIS410DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.

Sledi nam

Pogoji uporabe Politika kršitve Zahtevajte ponudbo O nas Kontaktiraj nas Zemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.