Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > SIRA14DP-T1-GE3
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
6908975SIRA14DP-T1-GE3 image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIRA14DP-T1-GE3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
1+
$0.83
10+
$0.728
100+
$0.561
500+
$0.416
1000+
$0.333
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    SIRA14DP-T1-GE3
  • Proizvajalec / znamka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    1.SIRA14DP-T1-GE3.pdf
    2.SIRA14DP-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    +20V, -16V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    PowerPAK® SO-8
  • Serija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.1 mOhm @ 10A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    3.6W (Ta), 31.2W (Tc)
  • Pakiranje
    Cut Tape (CT)
  • Paket / primer
    PowerPAK® SO-8
  • Druga imena
    SIRA14DP-T1-GE3CT
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    32 Weeks
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    1450pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    29nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    4.5V, 10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    30V
  • natančen opis
    N-Channel 30V 58A (Tc) 3.6W (Ta), 31.2W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    58A (Tc)

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "SIRA14DP-T1-GE3".
SIRA10DP-T1-GE3

SIRA10DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIRA10BDP-T1-GE3

SIRA10BDP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 30V

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIRA24DP-T1-GE3

SIRA24DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIRA18ADP-T1-GE3

SIRA18ADP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 30.6A POWERPAKSO

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIRA04DP-T1-GE3

SIRA04DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIRA26DP-T1-RE3

SIRA26DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIRA06DP-T1-GE3

SIRA06DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIRA01DP-T1-GE3

SIRA01DP-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V POWERPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIRA34DP-T1-GE3

SIRA34DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIRA20DP-T1-RE3

SIRA20DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIRA32DP-T1-RE3

SIRA32DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIRA12BDP-T1-GE3

SIRA12BDP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 30V

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIRA00DP-T1-GE3

SIRA00DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIRA18DP-T1-GE3

SIRA18DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIRA16DP-T1-GE3

SIRA16DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V D-S PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIRA02DP-T1-GE3

SIRA02DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIRA12DP-T1-GE3

SIRA12DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIRA18DP-T1-RE3

SIRA18DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 33A POWERPAKSO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIRA00DP-T1-RE3

SIRA00DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIRA22DP-T1-RE3

SIRA22DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.