Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

*ime podjetja
*Ime
*Naslov

*Email naslov
*Telefonska številka

*Država
*Kontaktno okno
*Datum dogodka

*Sporočilo

Za obiskovalce na Electronici 2024

Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.

Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > SIRA20DP-T1-RE3

RFQs/naročilo (0)

Slovenija

Slovenija

4778153

SIRA20DP-T1-RE3 image.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIRA20DP-T1-RE3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi

1+

$1.89

10+

$1.671

100+

$1.32

500+

$1.024

1000+

$0.808

Povpraševanje na spletu

Specifikacije

Številka dela

SIRA20DP-T1-RE3
Proizvajalec / znamka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Količina zalog

Na zalogi
Opis

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK SO-8
Status svobodnega statusa / RoHS

Brez svinca / RoHS
Podatkovni listi

SIRA20DP-T1-RE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA
Vgs (Max)

+16V, -12V
Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)
Paket naprave za dobavitelja

PowerPAK® SO-8
Serija

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

0.58 mOhm @ 20A, 10V
Odmik moči (maks.)

6.25W (Ta), 104W (Tc)
Pakiranje

Cut Tape (CT)
Paket / primer

PowerPAK® SO-8
Druga imena

SIRA20DP-T1-RE3CT
delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže

Surface Mount
Raven občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)
Proizvajalec Standardni čas vodenja

32 Weeks
Status svobodnega statusa / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds

10850pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

200nC @ 10V
Vrsta FET

N-Channel
Funkcija FET

-
Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)

4.5V, 10V
Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)

25V
natančen opis

N-Channel 25V 81.7A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C

81.7A (Ta), 100A (Tc)

Sorodne novice
Dostava
Plačilo

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

Dostava

Plačilo

Sledi izdelki, povezani z "SIRA20DP-T1-RE3".

SIRA50DP-T1-RE3

SIRA50DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CH 40V PWRPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIRA14DP-T1-GE3

SIRA14DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIRA16DP-T1-GE3

SIRA16DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V D-S PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIRA52DP-T1-GE3

SIRA52DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIRA52ADP-T1-RE3

SIRA52ADP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CHAN 40V PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIRA18DP-T1-GE3

SIRA18DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIRA26DP-T1-RE3

SIRA26DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIRA10BDP-T1-GE3

SIRA10BDP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 30V

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIRA10DP-T1-GE3

SIRA10DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIRA50ADP-T1-RE3

SIRA50ADP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CHAN 40V PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIRA18DP-T1-RE3

SIRA18DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 33A POWERPAKSO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIRA12DP-T1-GE3

SIRA12DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIRA36DP-T1-GE3

SIRA36DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIRA12BDP-T1-GE3

SIRA12BDP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 30V

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIRA32DP-T1-RE3

SIRA32DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIRA22DP-T1-RE3

SIRA22DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIRA18ADP-T1-GE3

SIRA18ADP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 30.6A POWERPAKSO

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIRA06DP-T1-GE3

SIRA06DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIRA34DP-T1-GE3

SIRA34DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIRA24DP-T1-GE3

SIRA24DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.

Sledi nam

Pogoji uporabe Politika kršitve Zahtevajte ponudbo O nas Kontaktiraj nas Zemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.