Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

*ime podjetja
*Ime
*Naslov

*Email naslov
*Telefonska številka

*Država
*Kontaktno okno
*Datum dogodka

*Sporočilo

Za obiskovalce na Electronici 2024

Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.

Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > SIRA00DP-T1-GE3

RFQs/naročilo (0)

Slovenija

Slovenija

4738617

SIRA00DP-T1-GE3 image.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIRA00DP-T1-GE3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi

3000+

$1.093

Povpraševanje na spletu

Specifikacije

Številka dela

SIRA00DP-T1-GE3
Proizvajalec / znamka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Količina zalog

Na zalogi
Opis

MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Status svobodnega statusa / RoHS

Brez svinca / RoHS
Podatkovni listi

1.SIRA00DP-T1-GE3.pdf
2.SIRA00DP-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA
Vgs (Max)

+20V, -16V
Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)
Paket naprave za dobavitelja

PowerPAK® SO-8
Serija

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1 mOhm @ 20A, 10V
Odmik moči (maks.)

6.25W (Ta), 104W (Tc)
Pakiranje

Tape & Reel (TR)
Paket / primer

PowerPAK® SO-8
Druga imena

SIRA00DP-T1-GE3TR
SIRA00DPT1GE3
delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže

Surface Mount
Raven občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)
Proizvajalec Standardni čas vodenja

32 Weeks
Status svobodnega statusa / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds

11700pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

220nC @ 10V
Vrsta FET

N-Channel
Funkcija FET

-
Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)

4.5V, 10V
Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)

30V
natančen opis

N-Channel 30V 100A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C

100A (Tc)

Sorodne novice
Dostava
Plačilo

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

Dostava

Plačilo

Sledi izdelki, povezani z "SIRA00DP-T1-GE3".

SIRA00DP-T1-RE3

SIRA00DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIR880ADP-T1-GE3

SIR880ADP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIRA04DP-T1-GE3

SIRA04DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIR882ADP-T1-GE3

SIR882ADP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIR892DP-T1-GE3

SIR892DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIR890DP-T1-GE3

SIR890DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIR928-6C-F

Opis: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL

Proizvajalci: Everlight Electronics

Na zalogi

SIR882DP-T1-GE3

SIR882DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIRA02DP-T1-GE3

SIRA02DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIRA01DP-T1-GE3

SIRA01DP-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V POWERPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIR880DP-T1-GE3

SIR880DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIR878BDP-T1-RE3

SIR878BDP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIRA06DP-T1-GE3

SIRA06DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIR878DP-T1-GE3

SIR878DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIR888DP-T1-GE3

SIR888DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIRA10BDP-T1-GE3

SIRA10BDP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 30V

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIRA12BDP-T1-GE3

SIRA12BDP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 30V

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIRA12DP-T1-GE3

SIRA12DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIRA14DP-T1-GE3

SIRA14DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIRA10DP-T1-GE3

SIRA10DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.

Sledi nam

Pogoji uporabe Politika kršitve Zahtevajte ponudbo O nas Kontaktiraj nas Zemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.