SIJA58DP-T1-GE3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi

3000+

$0.472

Povpraševanje na spletu

Specifikacije

Številka dela

SIJA58DP-T1-GE3
Proizvajalec / znamka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Količina zalog

Na zalogi
Opis

MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8
Status svobodnega statusa / RoHS

Brez svinca / RoHS
Podatkovni listi

SIJA58DP-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA
Vgs (Max)

+20V, -16V
Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)
Paket naprave za dobavitelja

PowerPAK® SO-8
Serija

TrenchFET® Gen IV
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.65 mOhm @ 15A, 10V
Odmik moči (maks.)

27.7W (Tc)
Pakiranje

Tape & Reel (TR)
Paket / primer

PowerPAK® SO-8
Druga imena

SIJA58DP-T1-GE3-ND
SIJA58DP-T1-GE3TR
delovna temperatura

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip montaže

Surface Mount
Raven občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)
Status svobodnega statusa / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds

3750pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

75nC @ 10V
Vrsta FET

N-Channel
Funkcija FET

-
Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)

4.5V, 10V
Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)

40V
natančen opis

N-Channel 40V 60A (Tc) 27.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C

60A (Tc)

Sledi izdelki, povezani z "SIJA58DP-T1-GE3".

SIJ438DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8L

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SIJ484DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SIJH440E-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SIJ494DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 150V 36.8A SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI1046R-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SIJ458DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SIJ470DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SIJ400DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 32A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

AO4421L

Opis: MOSFET P-CH 60V 6.2A 8SOIC

Proizvajalci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

Na zalogi

RFQ

SIJA52DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8L

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

BS107PSTOA

Opis: MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3

Proizvajalci: Diodes Incorporated

Na zalogi

RFQ

SIJ482DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SIJ462DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 60V 46.5A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

IXFN39N90

Opis: MOSFET N-CH 900V 39A SOT-227B

Proizvajalci: IXYS Corporation

Na zalogi

RFQ

NTD14N03R-001

Opis: MOSFET N-CH 25V 2.5A IPAK

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na zalogi

RFQ

SIJA72ADP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 40V PPAK SO-8L

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SIJA54DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8L

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SIJ478DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SIJ420DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SIJ800DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Vnaprejšnja registracija

SIJA58DP-T1-GE3

Zahtevaj ponudbo

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

SIJ438DP-T1-GE3

SIJ484DP-T1-GE3

SIJH440E-T1-GE3

SIJ494DP-T1-GE3

SI1046R-T1-GE3

SIJ458DP-T1-GE3

SIJ470DP-T1-GE3

SIJ400DP-T1-GE3

AO4421L

SIJA52DP-T1-GE3

BS107PSTOA

SIJ482DP-T1-GE3

SIJ462DP-T1-GE3

IXFN39N90

NTD14N03R-001

SIJA72ADP-T1-GE3

SIJA54DP-T1-GE3

SIJ478DP-T1-GE3

SIJ420DP-T1-GE3

SIJ800DP-T1-GE3

Izberi jezik

Trenutni jezik