SIJH440E-T1-GE3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi

$3.16

10+

$2.852

100+

$2.292

500+

$1.783

1000+

$1.477

Povpraševanje na spletu

Specifikacije

Številka dela

SIJH440E-T1-GE3
Proizvajalec / znamka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Količina zalog

Na zalogi
Opis

MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8
Status svobodnega statusa / RoHS

Brez svinca / RoHS
Podatkovni listi

SIJH440E-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA
Vgs (Max)

+20V, -16V
Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)
Paket naprave za dobavitelja

PowerPAK® 8 x 8
Serija

TrenchFET® Gen IV
Rds On (Max) @ Id, Vgs

0.96 mOhm @ 20A, 10V
Odmik moči (maks.)

158W (Tc)
Pakiranje

Original-Reel®
Paket / primer

8-PowerTDFN
Druga imena

SIJH440E-T1-GE3DKR
delovna temperatura

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip montaže

Surface Mount
Raven občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)
Status svobodnega statusa / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds

20330pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

195nC @ 4.5V
Vrsta FET

N-Channel
Funkcija FET

-
Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)

4.5V, 10V
Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)

40V
natančen opis

N-Channel 40V 200A (Tc) 158W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C

200A (Tc)

Sledi izdelki, povezani z "SIJH440E-T1-GE3".

SIJA58DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

MTD3055V

Opis: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na zalogi

RFQ

SIJ438DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8L

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SIJ484DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SIJA52DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8L

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SIJ420DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SIJ800DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SIJ458DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

FDMS7692A

Opis: MOSFET N-CH 30V 13.5A POWER56

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na zalogi

RFQ

BUK952R8-60E,127

Opis: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB

Proizvajalci: NXP Semiconductors / Freescale

Na zalogi

RFQ

SIJ462DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 60V 46.5A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SIJ478DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SIJA72ADP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 40V PPAK SO-8L

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

IRFPF50

Opis: MOSFET N-CH 900V 6.7A TO-247AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SIJ400DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 32A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

IXTV30N50P

Opis: MOSFET N-CH 500V 30A PLUS220

Proizvajalci: IXYS Corporation

Na zalogi

RFQ

SIJ494DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 150V 36.8A SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SIJ470DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SIJ482DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SIJA54DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8L

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Vnaprejšnja registracija

SIJH440E-T1-GE3

Zahtevaj ponudbo

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

AMD zažene gradnjo druge faze oblikovalskega centra Bangalore

Grafična kartica NVIDIA RTX 5090 ima površino GPU 744 mm ...

Antropic prejme še 4 milijarde dolarjev naložbe od Amazon...

SEMI: Prodaja IC se je v tretjem četrtletju povečala za 1...

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

SIJA58DP-T1-GE3

MTD3055V

SIJ438DP-T1-GE3

SIJ484DP-T1-GE3

SIJA52DP-T1-GE3

SIJ420DP-T1-GE3

SIJ800DP-T1-GE3

SIJ458DP-T1-GE3

FDMS7692A

BUK952R8-60E,127

SIJ462DP-T1-GE3

SIJ478DP-T1-GE3

SIJA72ADP-T1-GE3

IRFPF50

SIJ400DP-T1-GE3

IXTV30N50P

SIJ494DP-T1-GE3

SIJ470DP-T1-GE3

SIJ482DP-T1-GE3

SIJA54DP-T1-GE3

Izberi jezik

Trenutni jezik