Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > SIJ470DP-T1-GE3
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
1288260SIJ470DP-T1-GE3 image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIJ470DP-T1-GE3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
3000+
$0.757
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    SIJ470DP-T1-GE3
  • Proizvajalec / znamka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    SIJ470DP-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    PowerPAK® SO-8
  • Serija
    ThunderFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9.1 mOhm @ 20A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    5W (Ta), 56.8W (Tc)
  • Pakiranje
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / primer
    PowerPAK® SO-8
  • Druga imena
    SIJ470DP-T1-GE3TR
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    2050pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    56nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    7.5V, 10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    100V
  • natančen opis
    N-Channel 100V 58.8A (Tc) 5W (Ta), 56.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    58.8A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip napoveduje 500 odpuščanj, stroški prestrukturi...

2024/12/4

Kvanta: Povpraševanje AI je še naprej močno, z enakomern...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znatno zmanjšuje uporabo fotoresista v proizvodnji...

2024/12/2

Vishay bo vložil 51 milijonov funtov v pridobljeno NWF Waf...

2024/11/29

Trumpova tarifna grožnja, Nvidia, Intelovi dobavitelji pon...

2024/11/28

Intel bo prejel 7,86 milijarde ameriških dolarjev subvenci...

2024/11/27

AMD zažene gradnjo druge faze oblikovalskega centra Bangalore

2024/11/26
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "SIJ470DP-T1-GE3".
SIJA54DP-T1-GE3

SIJA54DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8L

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
APT12F60K

APT12F60K

Opis: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
SIJ458DP-T1-GE3

SIJ458DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIJH440E-T1-GE3

SIJH440E-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIJ800DP-T1-GE3

SIJ800DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4842BDY-T1-GE3

SI4842BDY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 28A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIJ494DP-T1-GE3

SIJ494DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 150V 36.8A SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIJ400DP-T1-GE3

SIJ400DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 32A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIJ484DP-T1-GE3

SIJ484DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIJ482DP-T1-GE3

SIJ482DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
IRF9317PBF

IRF9317PBF

Opis: MOSFET P-CH 30V 16A 8-SO

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na zalogi
RFQ
IRF9540NSTRR

IRF9540NSTRR

Opis: MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na zalogi
RFQ
SIJ420DP-T1-GE3

SIJ420DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIJ478DP-T1-GE3

SIJ478DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIJA52DP-T1-GE3

SIJA52DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8L

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIJA58DP-T1-GE3

SIJA58DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIJ462DP-T1-GE3

SIJ462DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 60V 46.5A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIJA72ADP-T1-GE3

SIJA72ADP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 40V PPAK SO-8L

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
FDS6679AZ

FDS6679AZ

Opis: MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
SIJ438DP-T1-GE3

SIJ438DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8L

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.