6222021

SI2315BDS-T1-E3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi

$0.52

10+

$0.437

100+

$0.328

500+

$0.24

1000+

$0.186

Povpraševanje na spletu

Specifikacije

Številka dela

SI2315BDS-T1-E3
Proizvajalec / znamka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Količina zalog

Na zalogi
Opis

MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
Status svobodnega statusa / RoHS

Brez svinca / RoHS
Podatkovni listi

SI2315BDS-T1-E3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)
Paket naprave za dobavitelja

SOT-23-3 (TO-236)
Serija

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

50 mOhm @ 3.85A, 4.5V
Odmik moči (maks.)

750mW (Ta)
Pakiranje

Original-Reel®
Paket / primer

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Druga imena

SI2315BDS-T1-E3DKR
delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže

Surface Mount
Raven občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)
Proizvajalec Standardni čas vodenja

33 Weeks
Status svobodnega statusa / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds

715pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 4.5V
Vrsta FET

P-Channel
Funkcija FET

-
Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)

1.8V, 4.5V
Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)

12V
natančen opis

P-Channel 12V 3A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C

3A (Ta)

Sledi izdelki, povezani z "SI2315BDS-T1-E3".

SI2316DS-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI2311DS-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 8V 3A SOT23

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI2312CDS-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI2318DS-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI2312BDS-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI2310-TP

Opis: N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Proizvajalci: Micro Commercial Components (MCC)

Na zalogi

RFQ

SI2318CDS-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT-23

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI2318DS-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 3A SOT-23

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI2312BDS-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI2319DDS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CHAN 40V

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI2311DS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 8V 3A SOT23

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI2315BDS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI2316BDS-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI2309DS-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI2316DS-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI2316BDS-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT-23

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI2314EDS-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI2314EDS-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI2312-TP

Opis: N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Proizvajalci: Micro Commercial Components (MCC)

Na zalogi

RFQ

SI2319CDS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT-23

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Vnaprejšnja registracija

SI2315BDS-T1-E3

Zahtevaj ponudbo

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

AMD zažene gradnjo druge faze oblikovalskega centra Bangalore

Grafična kartica NVIDIA RTX 5090 ima površino GPU 744 mm ...

Antropic prejme še 4 milijarde dolarjev naložbe od Amazon...

SEMI: Prodaja IC se je v tretjem četrtletju povečala za 1...

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

SI2316DS-T1-E3

SI2311DS-T1-E3

SI2312CDS-T1-GE3

SI2318DS-T1-E3

SI2312BDS-T1-E3

SI2310-TP

SI2318CDS-T1-GE3

SI2318DS-T1-GE3

SI2312BDS-T1-GE3

SI2319DDS-T1-GE3

SI2311DS-T1-GE3

SI2315BDS-T1-GE3

SI2316BDS-T1-GE3

SI2309DS-T1-E3

SI2316DS-T1-GE3

SI2316BDS-T1-E3

SI2314EDS-T1-E3

SI2314EDS-T1-GE3

SI2312-TP

SI2319CDS-T1-GE3

Izberi jezik

Trenutni jezik