Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > SI2311DS-T1-GE3
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
5308483

SI2311DS-T1-GE3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    SI2311DS-T1-GE3
  • Proizvajalec / znamka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET P-CH 8V 3A SOT23
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    SI2311DS-T1-GE3.pdf
  • ECAD model
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    800mV @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    SOT-23-3
  • Serija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    45 mOhm @ 3.5A, 4.5V
  • Odmik moči (maks.)
    710mW (Ta)
  • Pakiranje
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / primer
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    970pF @ 4V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    12nC @ 4.5V
  • Vrsta FET
    P-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    1.8V, 4.5V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    8V
  • natančen opis
    P-Channel 8V 3A (Ta) 710mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    3A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip napoveduje 500 odpuščanj, stroški prestrukturi...

2024/12/4

Kvanta: Povpraševanje AI je še naprej močno, z enakomern...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znatno zmanjšuje uporabo fotoresista v proizvodnji...

2024/12/2

Vishay bo vložil 51 milijonov funtov v pridobljeno NWF Waf...

2024/11/29

Trumpova tarifna grožnja, Nvidia, Intelovi dobavitelji pon...

2024/11/28

Intel bo prejel 7,86 milijarde ameriških dolarjev subvenci...

2024/11/27
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "SI2311DS-T1-GE3".
SI2308DS-T1-E3

SI2308DS-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2308BDS-T1-GE3

SI2308BDS-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2315BDS-T1-E3

SI2315BDS-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2312CDS-T1-GE3

SI2312CDS-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2308BDS-T1-E3

SI2308BDS-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2308CDS-T1-GE3

SI2308CDS-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2312BDS-T1-E3

SI2312BDS-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2307CDS-T1-GE3

SI2307CDS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2316BDS-T1-E3

SI2316BDS-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT-23

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2309DS-T1-E3

SI2309DS-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2312BDS-T1-GE3

SI2312BDS-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2312-TP

SI2312-TP

Opis: N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Proizvajalci: Micro Commercial Components (MCC)
Na zalogi
RFQ
SI2311DS-T1-E3

SI2311DS-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 8V 3A SOT23

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2314EDS-T1-GE3

SI2314EDS-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2315BDS-T1-GE3

SI2315BDS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2310-TP

SI2310-TP

Opis: N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Proizvajalci: Micro Commercial Components (MCC)
Na zalogi
RFQ
SI2309CDS-T1-GE3

SI2309CDS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2316BDS-T1-GE3

SI2316BDS-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2314EDS-T1-E3

SI2314EDS-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2309CDS-T1-E3

SI2309CDS-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasNoviceZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.