Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > SI2308CDS-T1-GE3
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
687950

SI2308CDS-T1-GE3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
3000+
$0.12
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    SI2308CDS-T1-GE3
  • Proizvajalec / znamka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    SI2308CDS-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Serija
    TrenchFET® Gen IV
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    144 mOhm @ 1.9A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    1.6W (Tc)
  • Pakiranje
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / primer
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Druga imena
    SI2308CDS-T1-GE3TR
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    105pF @ 30V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    4nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    4.5V, 10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    60V
  • natančen opis
    N-Channel 60V 2.6A (Tc) 1.6W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    2.6A (Tc)

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "SI2308CDS-T1-GE3".
SI2310-TP

SI2310-TP

Opis: N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Proizvajalci: Micro Commercial Components (MCC)
Na zalogi
RFQ
SI2306-TP

SI2306-TP

Opis: N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Proizvajalci: Micro Commercial Components (MCC)
Na zalogi
RFQ
SI2309CDS-T1-GE3

SI2309CDS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2307BDS-T1-E3

SI2307BDS-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2308DS-T1-E3

SI2308DS-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2311DS-T1-E3

SI2311DS-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 8V 3A SOT23

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2307CDS-T1-GE3

SI2307CDS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2307-TP

SI2307-TP

Opis: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Proizvajalci: Micro Commercial Components (MCC)
Na zalogi
RFQ
SI2307BDS-T1-GE3

SI2307BDS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2306BDS-T1-GE3

SI2306BDS-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2309CDS-T1-E3

SI2309CDS-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2312BDS-T1-E3

SI2312BDS-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2309DS-T1-E3

SI2309DS-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2312-TP

SI2312-TP

Opis: N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Proizvajalci: Micro Commercial Components (MCC)
Na zalogi
RFQ
SI2308BDS-T1-E3

SI2308BDS-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2307CDS-T1-E3

SI2307CDS-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2312BDS-T1-GE3

SI2312BDS-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2306BDS-T1-E3

SI2306BDS-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2308BDS-T1-GE3

SI2308BDS-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2311DS-T1-GE3

SI2311DS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 8V 3A SOT23

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.