Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > SI2312CDS-T1-GE3
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
1476177

SI2312CDS-T1-GE3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
1+
$0.53
10+
$0.45
100+
$0.338
500+
$0.248
1000+
$0.191
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    SI2312CDS-T1-GE3
  • Proizvajalec / znamka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    SI2312CDS-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Serija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    31.8 mOhm @ 5A, 4.5V
  • Odmik moči (maks.)
    1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
  • Pakiranje
    Cut Tape (CT)
  • Paket / primer
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Druga imena
    SI2312CDS-T1-GE3CT
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    865pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18nC @ 5V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    1.8V, 4.5V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    20V
  • natančen opis
    N-Channel 20V 6A (Tc) 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    6A (Tc)

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "SI2312CDS-T1-GE3".
SI2309DS-T1-E3

SI2309DS-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2312-TP

SI2312-TP

Opis: N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Proizvajalci: Micro Commercial Components (MCC)
Na zalogi
RFQ
SI2315BDS-T1-E3

SI2315BDS-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2309CDS-T1-E3

SI2309CDS-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2318CDS-T1-GE3

SI2318CDS-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT-23

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2309CDS-T1-GE3

SI2309CDS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2315BDS-T1-GE3

SI2315BDS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2312BDS-T1-E3

SI2312BDS-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2316DS-T1-GE3

SI2316DS-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2314EDS-T1-GE3

SI2314EDS-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2316BDS-T1-GE3

SI2316BDS-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2310-TP

SI2310-TP

Opis: N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Proizvajalci: Micro Commercial Components (MCC)
Na zalogi
RFQ
SI2316BDS-T1-E3

SI2316BDS-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT-23

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2311DS-T1-E3

SI2311DS-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 8V 3A SOT23

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2308DS-T1-E3

SI2308DS-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2311DS-T1-GE3

SI2311DS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 8V 3A SOT23

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2314EDS-T1-E3

SI2314EDS-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2318DS-T1-E3

SI2318DS-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2316DS-T1-E3

SI2316DS-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2312BDS-T1-GE3

SI2312BDS-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.