SI2318DS-T1-GE3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi

$0.65

10+

$0.545

100+

$0.409

500+

$0.30

1000+

$0.232

Povpraševanje na spletu

Specifikacije

Številka dela

SI2318DS-T1-GE3
Proizvajalec / znamka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Količina zalog

Na zalogi
Opis

MOSFET N-CH 40V 3A SOT-23
Status svobodnega statusa / RoHS

Brez svinca / RoHS
Podatkovni listi

SI2318DS-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)
Paket naprave za dobavitelja

SOT-23-3 (TO-236)
Serija

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

45 mOhm @ 3.9A, 10V
Odmik moči (maks.)

750mW (Ta)
Pakiranje

Original-Reel®
Paket / primer

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Druga imena

SI2318DS-T1-GE3DKR
delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže

Surface Mount
Raven občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)
Proizvajalec Standardni čas vodenja

33 Weeks
Status svobodnega statusa / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds

540pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V
Vrsta FET

N-Channel
Funkcija FET

-
Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)

4.5V, 10V
Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)

40V
natančen opis

N-Channel 40V 3A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C

3A (Ta)

Sledi izdelki, povezani z "SI2318DS-T1-GE3".

SI2318CDS-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT-23

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI2318DS-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI2323CDS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 6A SOT-23

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI2315BDS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI2316DS-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI2316BDS-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT-23

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI2323DS-T1

Opis: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI2319DS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI2319DS-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI2315BDS-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI2323DDS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 5.3A SOT-23

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI2314EDS-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI2321DS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT-23

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI2319CDS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT-23

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI2314EDS-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI2321DS-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT-23

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI2321-TP

Opis: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Proizvajalci: Micro Commercial Components (MCC)

Na zalogi

RFQ

SI2316DS-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI2319DDS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CHAN 40V

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI2316BDS-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Vnaprejšnja registracija

SI2318DS-T1-GE3

Zahtevaj ponudbo

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

SI2318CDS-T1-GE3

SI2318DS-T1-E3

SI2323CDS-T1-GE3

SI2315BDS-T1-GE3

SI2316DS-T1-E3

SI2316BDS-T1-E3

SI2323DS-T1

SI2319DS-T1-GE3

SI2319DS-T1-E3

SI2315BDS-T1-E3

SI2323DDS-T1-GE3

SI2314EDS-T1-E3

SI2321DS-T1-GE3

SI2319CDS-T1-GE3

SI2314EDS-T1-GE3

SI2321DS-T1-E3

SI2321-TP

SI2316DS-T1-GE3

SI2319DDS-T1-GE3

SI2316BDS-T1-GE3

Izberi jezik

Trenutni jezik