Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > ZXMN6A25G
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
2492063ZXMN6A25G image.Diodes Incorporated

ZXMN6A25G

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    ZXMN6A25G
  • Proizvajalec / znamka
    Diodes Incorporated
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    ZXMN6A25G.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    SOT-223
  • Serija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    50 mOhm @ 3.6A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    2W (Ta)
  • Pakiranje
    Original-Reel®
  • Paket / primer
    TO-261-4, TO-261AA
  • Druga imena
    ZXMN6A25GDKR
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    1063pF @ 30V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20.4nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    4.5V, 10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    60V
  • natančen opis
    N-Channel 60V 4.8A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    4.8A (Ta)

Antropic prejme še 4 milijarde dolarjev naložbe od Amazon...

2024/11/23

SEMI: Prodaja IC se je v tretjem četrtletju povečala za 1...

2024/11/22

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "ZXMN6A25G".
ZXMN6A25K

ZXMN6A25K

Opis: MOSFET N-CH 60V 7A DPAK

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN6A11DN8TA

ZXMN6A11DN8TA

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN6A09KTC

ZXMN6A09KTC

Opis: MOSFET N-CH 60V 11.2A DPAK

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMNS3BM832TA

ZXMNS3BM832TA

Opis: MOSFET N-CH 30V 2A 8-MLP

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN6A09GTA

ZXMN6A09GTA

Opis: MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN6A25KTC

ZXMN6A25KTC

Opis: MOSFET N-CH 60V DPAK

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN6A09KQTC

ZXMN6A09KQTC

Opis: MOSFET N-CH 60V 11.8A TO252

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN6A25N8TA

ZXMN6A25N8TA

Opis: MOSFET N-CH 60V 8SO

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN7A11GTA

ZXMN7A11GTA

Opis: MOSFET N-CH 70V 3.8A SOT-223

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN6A11GTA

ZXMN6A11GTA

Opis: MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN6A11GTC

ZXMN6A11GTC

Opis: MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN6A11DN8TC

ZXMN6A11DN8TC

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SOIC

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMP10A16KTC

ZXMP10A16KTC

Opis: MOSFET P-CH 100V 3A DPAK

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN6A11ZTA

ZXMN6A11ZTA

Opis: MOSFET N-CH 60V 2.4A SOT-89

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN6A25GTA

ZXMN6A25GTA

Opis: MOSFET N-CH 60V SOT223

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN7A11KTC

ZXMN7A11KTC

Opis: MOSFET N-CH 70V 6.1A D-PAK

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMP10A13FTA

ZXMP10A13FTA

Opis: MOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN6A10N8TA

ZXMN6A10N8TA

Opis: MOSFET N-CH 60V 7.6A 8-SOIC

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN6A25DN8TA

ZXMN6A25DN8TA

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8-SOIC

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMP10A13FQTA

ZXMP10A13FQTA

Opis: MOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.