Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > ZXMN6A11GTA
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
5188700ZXMN6A11GTA image.Diodes Incorporated

ZXMN6A11GTA

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
1+
$0.85
10+
$0.742
100+
$0.573
500+
$0.424
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    ZXMN6A11GTA
  • Proizvajalec / znamka
    Diodes Incorporated
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Vsebuje skladno s svinecem / RoHS
  • Podatkovni listi
    ZXMN6A11GTA.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    SOT-223
  • Serija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    120 mOhm @ 2.5A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    2W (Ta)
  • Pakiranje
    Original-Reel®
  • Paket / primer
    TO-261-4, TO-261AA
  • Druga imena
    ZXMN6A11GDKR
    ZXMN6A11GDKRINACTIVE
    ZXMN6A11GDKRINACTIVE-ND
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    20 Weeks
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    330pF @ 40V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    5.7nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    4.5V, 10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    60V
  • natančen opis
    N-Channel 60V 3.1A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    3.1A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip napoveduje 500 odpuščanj, stroški prestrukturi...

2024/12/4

Kvanta: Povpraševanje AI je še naprej močno, z enakomern...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znatno zmanjšuje uporabo fotoresista v proizvodnji...

2024/12/2

Vishay bo vložil 51 milijonov funtov v pridobljeno NWF Waf...

2024/11/29

Trumpova tarifna grožnja, Nvidia, Intelovi dobavitelji pon...

2024/11/28

Intel bo prejel 7,86 milijarde ameriških dolarjev subvenci...

2024/11/27

AMD zažene gradnjo druge faze oblikovalskega centra Bangalore

2024/11/26
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "ZXMN6A11GTA".
ZXMN6A09DN8TA

ZXMN6A09DN8TA

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN7A11KTC

ZXMN7A11KTC

Opis: MOSFET N-CH 70V 6.1A D-PAK

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN6A09GTA

ZXMN6A09GTA

Opis: MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN6A25GTA

ZXMN6A25GTA

Opis: MOSFET N-CH 60V SOT223

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN6A08GTA

ZXMN6A08GTA

Opis: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN6A25G

ZXMN6A25G

Opis: MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN6A10N8TA

ZXMN6A10N8TA

Opis: MOSFET N-CH 60V 7.6A 8-SOIC

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN7A11GTA

ZXMN7A11GTA

Opis: MOSFET N-CH 70V 3.8A SOT-223

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN6A25N8TA

ZXMN6A25N8TA

Opis: MOSFET N-CH 60V 8SO

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN6A09DN8TC

ZXMN6A09DN8TC

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SOIC

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN6A09KTC

ZXMN6A09KTC

Opis: MOSFET N-CH 60V 11.2A DPAK

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN6A09KQTC

ZXMN6A09KQTC

Opis: MOSFET N-CH 60V 11.8A TO252

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN6A25K

ZXMN6A25K

Opis: MOSFET N-CH 60V 7A DPAK

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN6A11DN8TA

ZXMN6A11DN8TA

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN6A11GTC

ZXMN6A11GTC

Opis: MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN6A08KTC

ZXMN6A08KTC

Opis: MOSFET N-CH 60V 5.36A DPAK

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN6A25KTC

ZXMN6A25KTC

Opis: MOSFET N-CH 60V DPAK

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN6A25DN8TA

ZXMN6A25DN8TA

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8-SOIC

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN6A11ZTA

ZXMN6A11ZTA

Opis: MOSFET N-CH 60V 2.4A SOT-89

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN6A11DN8TC

ZXMN6A11DN8TC

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SOIC

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.