Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > ZXMNS3BM832TA
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
6081497ZXMNS3BM832TA image.Diodes Incorporated

ZXMNS3BM832TA

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    ZXMNS3BM832TA
  • Proizvajalec / znamka
    Diodes Incorporated
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 30V 2A 8-MLP
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    ZXMNS3BM832TA.pdf
  • ECAD model
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    700mV @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    8-MLP, MicroFET (3x2)
  • Serija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    180 mOhm @ 1.5A, 4.5V
  • Odmik moči (maks.)
    1W (Ta)
  • Pakiranje
    Original-Reel®
  • Paket / primer
    8-VDFN Exposed Pad
  • Druga imena
    ZXMNS3BM832DKR
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    314pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    2.9nC @ 4.5V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    Schottky Diode (Isolated)
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    2.5V, 4.5V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    30V
  • natančen opis
    N-Channel 30V 2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-MLP, MicroFET (3x2)
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    2A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip napoveduje 500 odpuščanj, stroški prestrukturi...

2024/12/4

Kvanta: Povpraševanje AI je še naprej močno, z enakomern...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znatno zmanjšuje uporabo fotoresista v proizvodnji...

2024/12/2

Vishay bo vložil 51 milijonov funtov v pridobljeno NWF Waf...

2024/11/29

Trumpova tarifna grožnja, Nvidia, Intelovi dobavitelji pon...

2024/11/28

Intel bo prejel 7,86 milijarde ameriških dolarjev subvenci...

2024/11/27
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "ZXMNS3BM832TA".
ZXMN6A25DN8TA

ZXMN6A25DN8TA

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8-SOIC

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN6A25K

ZXMN6A25K

Opis: MOSFET N-CH 60V 7A DPAK

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMP10A17GQTC

ZXMP10A17GQTC

Opis: MOSFET PCH 100V 1.7A SOT223

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMP10A17E6QTA

ZXMP10A17E6QTA

Opis: MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT23-6

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMP10A17GQTA

ZXMP10A17GQTA

Opis: MOSFET P-CH 100V SOT223

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN6A11ZTA

ZXMN6A11ZTA

Opis: MOSFET N-CH 60V 2.4A SOT-89

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN6A25GTA

ZXMN6A25GTA

Opis: MOSFET N-CH 60V SOT223

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMP10A13FTA

ZXMP10A13FTA

Opis: MOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN7A11KTC

ZXMN7A11KTC

Opis: MOSFET N-CH 70V 6.1A D-PAK

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMP10A13FQTA

ZXMP10A13FQTA

Opis: MOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN6A25G

ZXMN6A25G

Opis: MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMP10A18GTA

ZXMP10A18GTA

Opis: MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN6A25N8TA

ZXMN6A25N8TA

Opis: MOSFET N-CH 60V 8SO

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN7A11GTA

ZXMN7A11GTA

Opis: MOSFET N-CH 70V 3.8A SOT-223

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMP10A17E6TA

ZXMP10A17E6TA

Opis: MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT23-6

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMP10A17KTC

ZXMP10A17KTC

Opis: MOSFET P-CH 100V 2.4A DPAK

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMP10A17GTA

ZXMP10A17GTA

Opis: MOSFET P-CH 100V 1.7A SOT223

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN6A25KTC

ZXMN6A25KTC

Opis: MOSFET N-CH 60V DPAK

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMP10A16KTC

ZXMP10A16KTC

Opis: MOSFET P-CH 100V 3A DPAK

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN6A11GTC

ZXMN6A11GTC

Opis: MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasNoviceZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.